一种利用热电法测定半导体P、N型的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种利用热电法测定半导体P、N型的装置，属于检测装置技术领域，包括电流计、加热器，电流计通过导线(4)与半导体试件(3)相连，加热器设于半导体试件(3)的一端，加热器包括与底板(1)相贴的加热片(2)，半导体试件(3)的一端覆盖在加热片(2)上，本实用新型专利技术的技术方案，通过对半导体试件的一端加热，方便对半导体试件进行P、N型测定，本实用新型专利技术结构简单，成本低，有利于推广应用。

【技术实现步骤摘要】
一种利用热电法测定半导体P、N型的装置
本技术属于检测装置
，具体说涉及一种利用热电法测定半导体P、N型的装置。
技术介绍
半导体材料作为新功能材料在光电领域已经得到了广泛的应用，比如低碳节能LED固态照明、太阳能光伏、电脑CPU芯片等领域，甚至发展到自旋电子器件领域。半导体器件化的核心是通过掺杂制备出P型和N型，比如通过B（硼）掺杂实现P型Si，通过P（磷）掺杂实现N型Si。而ZnO和GaN作为第三代半导体材料，在固态照明LED应用领域成为世界研究的热点，而要实现其器件化的关键就是通过掺杂提高载流子浓度并实现P型，比如N（氮）掺杂、Li（锂）掺杂实现ZnO的P型。而掺杂后半导体属于P型还是N型往往采用高灵敏度霍尔效应仪，霍尔效应仪相对价格昂贵，测试麻烦。通达测定霍尔系数的正负来确定，正为p型，负为n型。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是现有技术中测量半导体属于P型还是N型需要采用高灵敏度霍尔效应仪的技术问题，提供一种可以方便测量半导体属于P型还是N型的一种利用热电法测定半导体P、N型的装置，以达到兼顾测试方便性及减本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用热电法测定半导体P、N型的装置，其特征在于：包括电流计、加热器，电流计通过导线(4)与半导体试件(3)相连，加热器设于半导体试件(3)的一端。/n

【技术特征摘要】
1.一种利用热电法测定半导体P、N型的装置，其特征在于：包括电流计、加热器，电流计通过导线(4)与半导体试件(3)相连，加热器设于半导体试件(3)的一端。


2.根据权利要求1所述的一种利用热电法测定半导体P、N型的装置，其特征在于：还包括底板(1)，所述的加热器包括与底板(1)相贴的加热片(2)，所述半导体试件(3)的一端覆盖在加热片(2)上。


3.根据权利要求2所述的一种利用热电法测定半导体P、N型的装置，其特征在于：还包括与导线(4)相连的第一导电件和第二导电件，第一导电件、第二导电件的一端分别抵压在与半导体试件(3)两端的上表面。


4.根据权利要求3所述的一种利用热电法测定半导体P、N型的装置，其特征在于：所述的第一导电件包括第一金属板条(5)，第一金属板条(5)的一端为第一导线(11)连接端，第一导线(11)连接端通过紧固件(6)固定在底板(1)上，其另一端为抵压半导体试件(3)的第一抵压端，所述的第一抵压端上设有向上凸起的第一提手(7)。
<...

【专利技术属性】
技术研发人员：王古平，
申请(专利权)人：台州学院，
类型：新型
国别省市：浙江;33