一种功率半导体器件浪涌电流承受能力检测系统技术方案

本实用新型专利技术涉及一种功率半导体器件浪涌电流承受能力检测系统，其特征在于，所述系统包括：电源装置、辅助IGBT器件、辅助IGBT器件对应的驱动单元、被测功率半导体器件和被测功率半导体器件对应的驱动单元。本实用新型专利技术提供的技术方案能够准确快速的对被测功率半导体器件进行浪涌电流承受能力检测，满足了电力系统用功率半导体器件不同波形的浪涌电流测试需求。

【技术实现步骤摘要】
一种功率半导体器件浪涌电流承受能力检测系统
本技术属于功率半导体领域，具体涉及一种功率半导体器件浪涌电流承受能力检测系统。
技术介绍
随着大功率半导体器件技术及电力电子器件技术的成熟，基于晶闸管及IGBT的电力电子装置在电力系统中得到越来越广泛的应用，例如高压直流换流阀、柔性直流换流阀、高压直流断路器、静止无功发生器、统一潮流控制器等，电力电子装置在电力系统中扮演着越来越重要的角色，电力设备电力电子化已成为作为发展趋势。对于电力系统，装置的可靠性则成为其首要的评价指标，作为装置的核心部件，功率半导体器件是装置可靠性的决定性因素，据统计目前电力电子装置50％以上的失效是由于功率半导体器件导致。相比于其他应用场合，电力系统电力电子装置需要承受峰值更高、持续时间更长的浪涌电流。而不同的应用需要对于电流的波形要求也不相同，因此提供一种功率半导体器件浪涌电流检测系统很有必要。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术的目的是提供一种功率半导体器件浪涌电流承受能力检测系统，满足了电力系统用功率半导体器件不同波形的浪涌电流测试本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率半导体器件浪涌电流承受能力检测系统，其特征在于，所述系统包括：电源装置、辅助IGBT器件、辅助IGBT器件对应的驱动单元、被测功率半导体器件和被测功率半导体器件对应的驱动单元；/n所述电源装置的正极分别与所述辅助IGBT器件的集电极和被测功率半导体器件的集电极连接；/n所述电源装置的负极分别与所述辅助IGBT器件的发射集和被测功率半导体器件的发射极连接；/n所述电源装置的负极与辅助IGBT器件的栅极之间接有所述辅助IGBT器件对应的驱动单元；/n所述电源装置的负极与被测功率半导体器件的栅极之间接有所述被测功率半导体器件对应的驱动单元。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件浪涌电流承受能力检测系统，其特征在于，所述系统包括：电源装置、辅助IGBT器件、辅助IGBT器件对应的驱动单元、被测功率半导体器件和被测功率半导体器件对应的驱动单元；
所述电源装置的正极分别与所述辅助IGBT器件的集电极和被测功率半导体器件的集电极连接；
所述电源装置的负极分别与所述辅助IGBT器件的发射集和被测功率半导体器件的发射极连接；
所述电源装置的负极与辅助IGBT器件的栅极之间接有所述辅助IGBT器件对应的驱动单元；
所述电源装置的负极与被测功率半导体器件的栅极之间接有所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈中圆，杨晓亮，李翠，陈艳芳，张西子，孙帅，李金元，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院有限公司，国网山东省电力公司电力科学研究院，
类型：新型
国别省市：北京;11