一种应用于限流保护回路中的场效应管及失效检测电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种应用于限流保护回路中的场效应管及失效检测电路，在交流回路中使用限流式保护器并检测是否失效，包括上MOSFET管，下MOSFET管，上管的漏极接线路的火线，下管的漏极接线负载，负载另一端接零线，上管的源极下管的源极连接在一起接地，上管栅极与第一微控制器连接，下管栅极与第二微控制器连接，当交流电处在正半周时，上管正向导通，下管受内部反向二极管作用反向导通，当交流电处在负半周时，下管正向导通，上管受内部反向二极管作用反向导通；增设失效检测电路，以微处理器检测端口是否能接受到脉冲施加端口发送的脉冲信号来判断是否失效。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于限流保护回路中的场效应管及失效检测电路
本技术属于限流式保护器MOSFET管
，具体涉及一种应用于限流保护回路中的场效应管及失效检测电路。
技术介绍
目前，电气火灾监控探测应用领域，当电气线路发生超负荷或短路故障时，限流式保护器能在150微妙的时间内迅速切断供电线路，从而避免因短路发生的电火花引燃周围物体或线路发生自燃而引起火灾。限流式保护器都采用MOSFET管做关键控制器件，而MOSFET管都有零点几欧姆的内阻，在正常工作时，MOSFET管处于导通状态，如果遇到线路电流过大或达到短路状态电流时，微控制器发出指令让MOSFET管立即截至状态。从而避免电气线路因电流过大或短路产生电火花而引起火灾。而MOSFET管本来只能用来控制直流电路，在交流回路中用MOSFET管来控制线路就变得难设计了，MOSFET管分为漏极（D）、栅极（G）、源极（S）三个电极，并且，当MOSFET管有失效情况时情况就不同了，如果MOSFET管失效短路，当发生电流突然增大需快速切断供电时，微处理器给施加低电平，使其截止，但由于其短路存在，电流依然能通过，就起本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于限流保护回路中的场效应管，其特征在于：包括上MOSFET管Q1、下MOSFET管Q2、上管Q1的漏极D1、下管Q2的漏极D2、上管的源极S1、下管的源极S2、上管的栅极G1、下管的栅极G2、用于检测电流是否超限以及给上管的栅极G1发送电平信号的第一微控制器GC1、用于检测电流是否超限以及给下管的栅极G2发送电平信号的第二微控制器GC2，所述上管Q1的漏极D1接线路的火线L，下管Q2的漏极D2接线负载RL，负载的另一端接零线N，上管的源极S1和下管的源极S2连接在一起，接系统地GND，上管的栅极G1与第一微控制器GC1连接，下管的栅极G2与第二微控制器GC2连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种应用于限流保护回路中的场效应管，其特征在于：包括上MOSFET管Q1、下MOSFET管Q2、上管Q1的漏极D1、下管Q2的漏极D2、上管的源极S1、下管的源极S2、上管的栅极G1、下管的栅极G2、用于检测电流是否超限以及给上管的栅极G1发送电平信号的第一微控制器GC1、用于检测电流是否超限以及给下管的栅极G2发送电平信号的第二微控制器GC2，所述上管Q1的漏极D1接线路的火线L，下管Q2的漏极D2接线负载RL，负载的另一端接零线N，上管的源极S1和下管的源极S2连接在一起，接系统地GND，上管的栅极G1与第一微控制器GC1连接，下管的栅极G2与第二微控制器GC2连接。


2.根据权利要求1所述的一种应用于限流...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶继明，谢永涛，南怀志，
申请(专利权)人：河南力安测控科技有限公司，
类型：新型
国别省市：河南;41