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一种静汞电极密封结构制造技术

技术编号:2608805 阅读:202 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种静汞电极密封结构,涉及有贮汞池下端面(1)、中空针形棒(2)、下端面刻槽(3)、橡胶垫(4)、毛细管(5)、毛细管座(6)、毛细管座上端面(7)和上端面刻槽(8)组成,贮汞池设置在上面,作为电极的毛细管(5)设置在贮汞池的下面,其特征在于贮汞池下端面(1)与毛细管座上端面(7)之间设置有橡胶垫(4)。(*该技术在2012年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种静汞电极密封结构
:本技术涉及静汞电极中使用的密封结构,尤其涉及一种静汞电极密封结构。
技术介绍
:现在电化学分析中使用的悬汞电极或静汞电极,都需要有一个形成汞滴用的玻璃毛细管,在玻璃毛细管的下端口形成汞滴,长时间静止悬挂,进行实验分析。毛细管的上端通过毛细管座与贮汞池下端面联接,以便汞能进入毛细管。由于贮汞池的下端面与毛细管座均为硬质材料,即便是靠紧也不能密封,空气仍可以沿两个平面之间的缝隙进入毛细管的中心通道。由于毛细管的中心通道极细,即使进入微量空气,也会造成汞柱中断,无法使用。本技术的目的在于,克服现有技术的不足之处,提供一种静汞电极密封结构,以密封的结构形式保证贮汞池的下端面与毛细管座的完全密封,使毛细管中不出现气堵现象,保证电化学分析的正常进行。技术的内容:本技术所述的一种静汞电极密封结构,是一种专门用于静汞电极或悬汞电极的密封结构,涉及有贮汞池下端面、中空针形棒、贮汞池下端面刻槽、橡胶垫、毛细管、毛细管座、毛细管座上端面和上端面刻槽组成,所说的贮汞池与现有技术的贮汞池基本相同,贮汞池设置在上面,作为电极的毛细管设置在贮汞池的下面。在电极贮汞池下端面的中心位置,设置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1、一种静汞电极密封结构,涉及有贮汞池下端面(1)、中空针形棒(2)、下端面刻槽(3)、橡胶垫(4)、毛细管(5)、毛细管座(6)、毛细管座上端面(7)和上端面刻槽(8)组成,贮汞池设置在上面,作为电极的毛细管(5)设置在贮汞池的下面,其特征在于贮汞池下端面(1)与毛细管座上端面(7)之间设置有橡胶垫(4)。2、根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:许一楠许建民
申请(专利权)人:许一楠
类型:实用新型
国别省市:

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