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一种静汞电极密封结构制造技术
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文档序号:2608805
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一种静汞电极密封结构,涉及有贮汞池下端面(1)、中空针形棒(2)、下端面刻槽(3)、橡胶垫(4)、毛细管(5)、毛细管座(6)、毛细管座上端面(7)和上端面刻槽(8)组成,贮汞池设置在上面,作为电极的毛细管(5)设置在贮汞池的下面,其特征在...
该专利属于许一楠所有,仅供学习研究参考,未经过许一楠授权不得商用。
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