【技术实现步骤摘要】
一种VCSEL芯片的低温氧化方法
本专利技术涉及VCSEL芯片氧化制备
，尤其涉及一种VCSEL芯片的低温氧化方法。
技术介绍
垂直腔面发射激光器（Vertical-CavitySurface-EmittingLaser，简称VCSEL，又译垂直共振腔面射型激光）是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出，与边缘射出的边射型激光有所不同。VCSEL从垂直衬底的面发射激光，因此很容易通过平面工艺实现大规模发光阵列；发射激光的束散角较小，光斑近似于圆形；对于光学系统的要求低；可寻址阵列中提供设计灵活性；激光波长的温度依赖性很低；晶圆级制造工艺，利于降低成本，由于引入电流限制结构，VCSEL激光器可以在极低的阈值条件下激射，从而对能源的消耗极低。近来有两种主要的方法来限制VCSEL中的电流，依照其特性分成两种：离子内嵌VCSEL和氧化型VCSEL，其中，氧化型VCSEL是利用在靠近VCSEL共振腔周围预先生长的富铝AlGaAs层的氧化反应形成Al2O3层，利用氧化层良好的绝缘性，以及低的折射率特性，有效地约束了...
【技术保护点】
1.一种VCSEL芯片的低温氧化方法，其特征在于，所述氧化方法包括以下步骤：/n步骤一，将用于制作VCSEL芯片的外延片通过刻蚀工艺刻蚀成所需台阶，使VCSEL芯片的富铝AlGaAs层裸露出来；/n步骤二，将步骤一制作的VCSEL芯片的晶圆放置于等离子体腔内的载片台上，将所述载片台的温度调整到设定温度值，并对所述等离子体腔抽真空；/n步骤三，将氩气罐内的氩气通过第一气体管道连通至装有去离子水且具有加热功能的容器内，且所述第一气体管道位于所述容器内的端部延伸至去离子水的水体内，使所述容器内产生氩气和去离子水汽，所述容器通过第二气体管道连通所述等离子体腔，通过所述第二气体管道使...
【技术特征摘要】
1.一种VCSEL芯片的低温氧化方法，其特征在于，所述氧化方法包括以下步骤：
步骤一，将用于制作VCSEL芯片的外延片通过刻蚀工艺刻蚀成所需台阶，使VCSEL芯片的富铝AlGaAs层裸露出来；
步骤二，将步骤一制作的VCSEL芯片的晶圆放置于等离子体腔内的载片台上，将所述载片台的温度调整到设定温度值，并对所述等离子体腔抽真空；
步骤三，将氩气罐内的氩气通过第一气体管道连通至装有去离子水且具有加热功能的容器内，且所述第一气体管道位于所述容器内的端部延伸至去离子水的水体内，使所述容器内产生氩气和去离子水汽，所述容器通过第二气体管道连通所述等离子体腔，通过所述第二气体管道使所述容器内的氩气和去离子水汽输入至所述等离子体腔内；
步骤四，将所述等离子体腔通电，使所述等离子体腔的内部产生电场，并将所述等离子体腔内的去离子水汽离化成活性氧化粒子，所述活性氧化粒子与所述VCSEL芯片的富铝AlGaAs层发生氧化还原反应，并生成所需的Al2O3层和挥发性副产物；
步骤五，所述等离子体腔的底部通过第三气体管道连通真空泵，所述真空泵将所述挥发性副产物排出至所述等离子体腔的外侧。
2.如权利要求1所述的一种VCSEL芯片的低温氧化方法，其特征在于：所述载片台的设定温度值为100℃-250℃，所述等离子体腔的本底真空度为1×10-1Pa-1×10-4Pa，所述等离子体腔的工作真空度为1×102Pa-1×10-1Pa。
3.如权利要求1所述的一种VCSEL芯片的低温氧化方法，其特征在于：所述第一气体管道上安装有气体流量器，所述氩气罐输出的氩气的流量为1-10...
【专利技术属性】
技术研发人员：覃志伟，邓群雄，席庆男，李志，
申请(专利权)人：山东元旭光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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