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本发明涉及VCSEL芯片氧化制备技术领域，提供了一种VCSEL芯片的低温氧化方法，氧化方法包括以下步骤：将VCSEL芯片的外延片刻蚀成台阶，使VCSEL芯片的富铝AlGaAs层裸露出来；将VCSEL芯片放置于等离子体腔的载片台上，并对等离子...
该专利属于山东元旭光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东元旭光电股份有限公司授权不得商用。

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