一种发光辅助材料、其制备方法及有机电致发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种发光辅助材料，如式(I)所示。与现有技术相比，本发明专利技术提供的式(I)所示的发光辅助材料在咔唑与三芳基胺之间通过连接基团使其具有空间位置，并在芳胺上设置有取代基，呈现双取代结构，增加了化合物的相对分子质量，改变了其立体构造性，从而使其具有较高的热稳定性，进而使该发光辅助材料制备的有机电致发光装置可以展现出低驱动电压、高发光效率和长使用寿命的特性。

【技术实现步骤摘要】
一种发光辅助材料、其制备方法及有机电致发光装置
本专利技术属于光电材料
，尤其涉及一种发光辅助材料、其制备方法及有机电致发光装置。
技术介绍
与无机LED相对应，基于有机半导体功能材料的OLED，作为新一代显示技术应运而生，从信息显示到固态照明器件，伴随着广阔的应用前景和技术上的突飞猛进，OLED的发展迅速并且OLED已经被商业化。OLED通过向有机发光材料施加电力而将电能转换为光，并且通常包含阳极、阴极和在这两个电极之间的有机层。为了提高OLED的效率和稳定性，通常还具有包含空穴传输区域、发光层、电子传输区域等的多层结构。在所述OLED中，酞菁铜(CuPc)、4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)、N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯基)-(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺(TPD)、4，4’，4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)等用作在空穴传输区域中包含的化合物。然而，使用这些材料的OLED在量子效率和使用寿命等方面存在问题。这是因为当在高电流下驱动OLED时，在阳极与空穴注入层之间出现热应力，并且所述热应力显著降低装置的使用寿命。此外，由于空穴传输区域中使用的有机材料具有非常高的空穴迁移率，所以可能破坏空穴-电子电荷平衡并且导致量子效率(cd/A)可能降低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术要解决的技术问题在于提供一种发光辅助材料、其制备方法及有机电致发光装置，该发光辅助材料可降低有机电致发光器件的驱动电压，提高发光效率并使使用寿命延长。本专利技术提供了一种发光辅助材料，如式(I)所示：其中，Ar1与Ar2各自独立地选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C2～C30的杂环烷基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C10～C30的稠环基、取代或未取代的C5～C30的螺环基；m为0～4的整数，当m为大于等于2的整数时，R3可任选地相同或不相同；R1、R2与R3各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、羧基、硝基、羟基、磺酸基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C2～C30的杂环烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C10～C30的稠环基；或者R1与R2连接以形成取代或未取代的单环或多环的C3～C30的脂环族环、芳族环或其组合，其中所形成的环可任选地含有至少一个选自氮、氧与硫的杂原子；或者当m为大于等于2的整数时，相邻的两个或多个R3连接以形成取代或未取代的单环或多环的C3～C30的脂环族环、芳族环、或其组合，其中所形成的环可任选地含有至少一个选自氮、氧与硫的杂原子；L选自取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C4～C30亚杂芳基、取代或未取代的C1～C30的亚烷基、取代或未取代的C3～C20的亚环烷基、取代或未取代的C2～C10的亚杂环烷基、取代或未取代的C10～C30的亚稠环基；n为大于等于0的整数。优选的，所述取代的C1～C30的烷基、取代的C6～C30的芳基、取代的C3～C30的环烷基、取代的C2～C30的杂环烷基、取代的C2～C30的杂芳基、取代的C10～C30的稠环基、取代的C5～C30的螺环基、取代的C3～C20的环烷基、取代的单环或多环的C3～C30的脂环族环、芳族环或其组合、取代的C6～C30的亚芳基、取代的C4～C30亚杂芳基、取代的C1～C30的亚烷基、取代的C3～C20的亚环烷基、取代的C2～C10的亚杂环烷基与取代的C10～C30的亚稠环基中的取代基各自独立地选自氘、硝基、氨基、羟基、卤素、氰基、羰基、巯基、C1～C10的烷基、C6～C20的芳基、C2～C10的杂环烷基、C2～C30的杂芳基与C10～C20的稠环基中的一种或多种所述杂环烷基与杂芳基中的杂原子各自独立地选自N、O、S、P与Si中的一种或多种。优选的，所述Ar1与Ar2各自独立地选自取代或未取代的C6～C20的芳基、取代或未取代的C2～C20的杂芳基、取代或未取代的C10～C20的稠环基。优选的，所述Ar1与Ar2各自独立地选自下述结构中的一种：优选的，所述R1、R2与R3各自独立地选自氢、氘、卤素、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C6～C25的芳基、取代或未取代的C2～C20的杂芳基、取代或未取代的C2～C8的杂环烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C10～C20的稠环基。优选的，所述R1、R2与R3各自独立地选自氢、氘、卤素、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C15的芳基、取代或未取代的C5～C15的杂芳基、取代或未取代的C2～C6的杂环烷基、取代或未取代的C5～C10的环烷基、取代或未取代的C10～C16的稠环基。优选的，所述L选自取代或未取代的C6～C15的亚芳基、取代或未取代的C4～C15亚杂芳基、取代或未取代的C5～C10的亚环烷基、取代或未取代的C4～C10的亚杂环烷基、取代或未取代的C10～C16的亚稠环基。优选的，所述发光辅助材料选自下述化合物中的一种或多种：优选的，包括：将式(A)所示的化合物与式(B)所示的化合物反应，得到中间体1；将所述中间体1与式(C)所示的化合物反应，得到式(I)所示的化合物；中间体1；其中X1与X2各自独立地选自卤素。本专利技术还提供了一种有机电致发光装置，包括上述的发光辅助材料。本专利技术提供了一种发光辅助材料，如式(I)所示。与现有技术相比，本专利技术提供的式(I)所示的发光辅助材料在咔唑与三芳基胺之间通过连接基团使其具有空间位置，并在芳胺上设置有取代基，呈现双取代结构，增加了化合物的相对分子质量，改变了其立体构造性，从而使其具有较高的热稳定性，进而使该发光辅助材料制备的有机电致发光装置可以展现出低驱动电压、高发光效率和长使用寿命的特性。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术提供了一种发光辅助材料，如式(I)所示：其中，Ar1与Ar2各自独立地为取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C2～C30的杂环烷基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C10～C30的稠环基、取代或未取代的C5～C30的螺环基；优选为取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C6～C20的芳基、取代或未取代的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光辅助材料，其特征在于，如式(I)所示：/n

【技术特征摘要】
1.一种发光辅助材料，其特征在于，如式(I)所示：



其中，Ar1与Ar2各自独立地选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C2～C30的杂环烷基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C10～C30的稠环基、取代或未取代的C5～C30的螺环基；
m为0～4的整数，当m为大于等于2的整数时，R3可任选地相同或不相同；
R1、R2与R3各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、羧基、硝基、羟基、磺酸基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C2～C30的杂环烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C10～C30的稠环基；
或者R1与R2连接以形成取代或未取代的单环或多环的C3～C30的脂环族环、芳族环或其组合，其中所形成的环可任选地含有至少一个选自氮、氧与硫的杂原子；
或者当m为大于等于2的整数时，相邻的两个或多个R3连接以形成取代或未取代的单环或多环的C3～C30的脂环族环、芳族环、或其组合，其中所形成的环可任选地含有至少一个选自氮、氧与硫的杂原子；
L选自取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C4～C30亚杂芳基、取代或未取代的C1～C30的亚烷基、取代或未取代的C3～C20的亚环烷基、取代或未取代的C2～C10的亚杂环烷基、取代或未取代的C10～C30的亚稠环基；
n为大于等于0的整数。


2.根据权利要求1所述的发光辅助材料，其特征在于，所述取代的C1～C30的烷基、取代的C6～C30的芳基、取代的C3～C30的环烷基、取代的C2～C30的杂环烷基、取代的C2～C30的杂芳基、取代的C10～C30的稠环基、取代的C5～C30的螺环基、取代的C3～C20的环烷基、取代的单环或多环的C3～C30的脂环族环、芳族环或其组合、取代的C6～C30的亚芳基、取代的C4～C30亚杂芳基、取代的C1～C30的亚烷基、取代的C3～C20的亚环烷基、取代的C2～C10的亚杂环烷基与取代的C10～C30的亚稠环基中的取代基各自独立地选自氘、硝基、氨基、羟基、卤素、氰基、羰基、巯基、C1～C10的烷基、C6～C20的芳基、C2～C10的杂环烷基、C2～C30的杂芳基与C10...

【专利技术属性】
技术研发人员：王进政，黄悦，汪康，孙向南，金成寿，王永光，马晓宇，
申请(专利权)人：吉林奥来德光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林;22