一种用于改良逾渗系统的纳米桥的制备方法及其应用技术方案

本发明专利技术属于纳米材料制备技术领域，公开了一种通过在等离子体刻蚀过程之前，在聚苯乙烯纳米微球阵列上旋涂苯乙烯单体溶液来诱导最近邻球之间形成纳米桥，并在金属沉积后得到弱连接的逾渗结构的制备方法。该制备方法在渗流阈值附近产生耦合、阴影互补的准Babinet金属阵列。该结构的主要等离子体效应是透射峰的强窄化，对系统参数的变化非常敏感。这种效应可以作为高灵敏度、廉价传感器的基础。

【技术实现步骤摘要】
一种用于改良逾渗系统的纳米桥的制备方法及其应用
本专利技术属于纳米材料制备
，具体涉及一种用于改良逾渗系统的纳米桥的制备方法及其应用。
技术介绍
具有各种物理性质的超灵敏探测器通常依赖于所用探测器结构的高度非线性泛函数响应。这种非线性变化通常发生在具有相变的系统中，比如逾渗结构，它可以在电介质中随机分布导电粒子而形成。当导电粒子浓度达到临界值时，即逾渗阈值时，在这样的空间参数下发生相变，从而从根本上改变其响应特性(如导电性、光响应等特性发生突变)。因此，这样的逾渗系统可以通过将粒子浓度调整到非常接近阈值，以作为对各种物理性质(如温度、压力、粒子或分子的存在、光辐射等)具有超灵敏响应的检测器。已有许多检测器系统采用了如上设计思路。然而，在实际的传感器领域中，基于逾渗结构来设计的传感器件并不常见。主要是因为，一方面，它们的极端非线性有助于增加器件的灵敏度；另一方面，阈值的临界特性会导致器件的不稳定性，即设计参数发生微小变化也会极大改变器件的性能。这对基于逾渗结构的传感器的实际应用造成了极大的阻碍。在Babinet自互补棋盘结构的光学响本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于改良逾渗系统的纳米桥的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、在基底上沉积六边形的聚苯乙烯微球单层膜，所述聚苯乙烯微球的直径为100nm～10μm；/nS2、在S1的聚苯乙烯微球单层膜上旋涂苯乙烯-乙醇溶液，并进行等离子刻蚀；/nS3、通过电子束蒸镀在经过等离子刻蚀后的结构上蒸镀10～100nm的金，即得纳米桥。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于改良逾渗系统的纳米桥的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在基底上沉积六边形的聚苯乙烯微球单层膜，所述聚苯乙烯微球的直径为100nm～10μm；
S2、在S1的聚苯乙烯微球单层膜上旋涂苯乙烯-乙醇溶液，并进行等离子刻蚀；
S3、通过电子束蒸镀在经过等离子刻蚀后的结构上蒸镀10～100nm的金，即得纳米桥。


2.根据权利要求1所述的用于改良逾渗系统的纳米桥的制备方法，其特征在于，步骤S2所述苯乙烯的浓度为1～20％，旋涂的速度为1000～4000rpm。


3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃泽尔·马丁·阿金诺古，薛亚飞，罗凌鹏，金名亮，周国富，迈克尔·诺顿，克日什托夫·坎帕，迈克尔·吉尔森，
申请(专利权)人：肇庆市华师大光电产业研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44