一种沟槽围合孔洞结构及其在锥状微纳结构加工中的应用制造技术

本发明专利技术公开一种沟槽围合孔洞结构及其在锥状微纳结构加工中的应用，所述沟槽围合孔洞结构包含由下往上依次叠层的衬底、第一膜层以及第二膜层；所述第一膜层制备有孔洞以及环形沟槽；所述环形沟槽围合孔洞；所述孔洞的深度等于所述第一膜层的厚度；所述沟槽的深度小于所述第一膜层的厚度；所述环形沟槽的内环与外环之间的间隔大于等于孔洞的孔径的四分之三；所述第二膜层采用以垂直于衬底的角度定向沉积制备。本发明专利技术提供的沟槽围合孔洞结构可避免第二膜层形变，提高在孔洞中由第二膜层材料所形成的微纳结构的几何形貌一致性。

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽围合孔洞结构及其在锥状微纳结构加工中的应用
本专利技术涉及微纳加工
，更具体地，涉及一种沟槽围合孔洞结构及其在锥状微纳结构加工中的应用。
技术介绍
微纳加工技术已经被广泛应用于现代固体微纳电子器件和真空微纳电子器件的加工制造。微纳加工技术主要包括“自上而下”和“自下而上”两类技术方法。“自上而下”的微纳加工方法主要以光刻技术为基础，利用刻蚀技术实现所需器件结构的制作；“自下而上”的微纳加工方法则主要利用各类沉积技术，形成所需的器件结构。耐刻蚀材料(例如难熔金属钨、钼等)的刻蚀加工难度高，因此常采用“自下而上”的技术方法制作基于耐刻蚀材料的大高径比微纳结构。已有研究者专利技术了一种“自下而上”自组装制作基于耐刻蚀材料的大高径比锥状微纳结构的技术方法(WeiZhuPh.D.Chapter4.SpindtFieldEmitterArrays[M]//VacuumMicroelectronics.JohnWiley&Sons,Inc.2001.)。该方法主要在孔洞结构中制备锥状微纳结构，包括三个步骤：(1)在衬底上依次制作本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沟槽围合孔洞结构，其特征在于，包含由下往上依次叠层的衬底、第一膜层以及第二膜层，所述衬底表面平整，所述第一膜层厚度均匀；所述第一膜层制备有孔洞以及环形沟槽；所述环形沟槽围合孔洞；所述孔洞在竖直方向贯穿所述第一膜层，所述孔洞的深度等于所述第一膜层的厚度；所述沟槽的深度小于所述第一膜层的厚度；所述环形沟槽的内环与外环之间的间隔大于等于孔洞的孔径的四分之三；所述孔洞位于所述沟槽的内环内，且所述孔洞的边缘与所述沟槽的内环分离；所述第二膜层采用以垂直于衬底的角度定向沉积的方法制备。/n

【技术特征摘要】
1.一种沟槽围合孔洞结构，其特征在于，包含由下往上依次叠层的衬底、第一膜层以及第二膜层，所述衬底表面平整，所述第一膜层厚度均匀；所述第一膜层制备有孔洞以及环形沟槽；所述环形沟槽围合孔洞；所述孔洞在竖直方向贯穿所述第一膜层，所述孔洞的深度等于所述第一膜层的厚度；所述沟槽的深度小于所述第一膜层的厚度；所述环形沟槽的内环与外环之间的间隔大于等于孔洞的孔径的四分之三；所述孔洞位于所述沟槽的内环内，且所述孔洞的边缘与所述沟槽的内环分离；所述第二膜层采用以垂直于衬底的角度定向沉积的方法制备。


2.根据权利要求1所述的沟槽围合孔洞结构，其特征在于，所述第一膜层厚度为100～2000nm。


3.根据权利要求1所述的沟槽围合孔洞结构，其特征在于，所述孔洞孔径为100～2000nm。


4.根据权利要求1所述的沟槽围合孔洞结构，其特征在于，所述孔洞的边缘与所述沟槽的内环的距离与孔洞的孔径的比值为0.5～5。


5.根据权利要求1所述的沟槽围合孔洞结构，其特征在于，所述环形沟槽的形状为圆环、三角形环、矩形环或不规则环状。


6.根据权利要求1所述的沟槽围合孔洞...

【专利技术属性】
技术研发人员：佘峻聪，黄锦伦，黄一峰，邓少芝，许宁生，陈军，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：广东;44