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本发明属于纳米材料制备技术领域,公开了一种通过在等离子体刻蚀过程之前,在聚苯乙烯纳米微球阵列上旋涂苯乙烯单体溶液来诱导最近邻球之间形成纳米桥,并在金属沉积后得到弱连接的逾渗结构的制备方法。该制备方法在渗流阈值附近产生耦合、阴影互补的准Bab...该专利属于肇庆市华师大光电产业研究院所有,仅供学习研究参考,未经过肇庆市华师大光电产业研究院授权不得商用。
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本发明属于纳米材料制备技术领域,公开了一种通过在等离子体刻蚀过程之前,在聚苯乙烯纳米微球阵列上旋涂苯乙烯单体溶液来诱导最近邻球之间形成纳米桥,并在金属沉积后得到弱连接的逾渗结构的制备方法。该制备方法在渗流阈值附近产生耦合、阴影互补的准Bab...