当前位置: 首页 > 专利查询>西门子公司专利>正文

湿法腐蚀过程的终点探测方法技术

技术编号:2601471 阅读:211 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种确定湿法腐蚀工艺过程的终点的方法,包括选择入射光束的相干长度的步骤,使得相干长度足够短以致在液体层中不发生干涉,而足够长以致在薄固体膜,即,从液体层与该薄膜顶面间的界面上的反射光,和从该薄膜底面与衬底之间的界面上的反射光能发生干涉。若液体层厚为100微米,该薄膜厚约1微米,则相干长度约10微米。相干长度由适当的带通滤波器提供。(*该技术在2018年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于腐蚀过程的终点探测方法,更详细地说,本专利技术涉及对使用液体腐蚀剂的腐蚀过程的终点探测方法。已知有许多腐蚀过程的终点探测方法。有几种基于激光干涉测量法或光辐射谱测定法,分别为监测在进行腐蚀时从薄膜上来的反射光,或光辐射的干涉。它们使用相同的技术,但是用不同的光源。激光干涉测量法采用激光束,例如氦-氖激光器作为光源,而光辐射采用,在等离子反应室中的等离子体发射的光,作为光源。在附图说明图1中图解说明了薄膜干涉测量方法。入射激光束11透射到待腐蚀的薄膜12上。该光束从薄膜12顶面上和从衬底13的表面上反射。这些分别反射的反射光束14和15产生干涉。薄膜12的厚度与激光束11波长(λ)之间的关系,根据公式2d=N(λ/n)其中N为整数和n为薄膜12的折射率。对于N(1、2、3等)的整数值,干涉为相长的并且反射光强为最大;而对于半整数值(N=1/2、3/2、5/2等),反射光干涉相消并且光强处于最小。在腐蚀过程中,腐蚀时监测重复最大和最小的正弦特性光干涉图案,当薄膜12被腐蚀掉时,这个图案结束,给出终点信号。图2说明随时间反射光束光强的典型图案。当由于正在受腐蚀的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种确定湿法腐蚀工艺过程终点的方法包括: 在装有用于衬底的底座的单面腐蚀机上,提供一个待腐蚀的其上具有薄膜的衬底; 用可变厚度的腐蚀剂溶液,覆盖待腐蚀的薄膜表面; 选择用于入射光束的相干长度,所述入射光束具有足够长的长度,使得从液体层与薄固体薄膜的顶面之间的界面和从薄固体薄膜的底面与衬底之间的界面反射的光束将存在干涉,以及具有足够短的长度,使得从液体层的顶面和在液体层与薄固体薄膜的顶面之间的界面反射的光束将不存在干涉; 提供一个具有选定的相干长度的光束,射向该衬底的表面上;以及 监测用该光束在该薄膜上产生的正弦干涉信号,直到光的光强最大保持不变为止,指示腐蚀终点。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:卡尔P马勒克劳斯D彭纳
申请(专利权)人:西门子公司国际商业机器公司
类型:发明
国别省市:DE[德国]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利