【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及GaAs/AlGaAs量子阱材料，特别是一种预测关于由GaAs/AlGaAs量子阱材料形成的红外探测器红外响应波长的设备和方法，更确切地说是一种量子阱材料无需制备成器件、直接在相应材料的非接触式测量基础上精确预测其红外响应波长的设备和方法。红外探测器的制备中首先需要根据其应用的具体要求确定其响应波长、响应率、探测率等基本特征参数，其中响应波长尤为重要。为此在对典型的红外探测器材料碲镉汞在器件制备前筛选时，首先是用红外吸收光谱方法确定其响应波长，但对GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料的红外响应波长确定就不象碲镉汞材料那样简单了，其原因在于适合于响应率与探测率好的材料需将量子阱中激发态的能级设计在势垒之上，从而导致基态向激发态跃迁的吸收系数很小，使实验上的探测有困难，另外由于这类探测器材料在正入射时无吸收，做吸收光谱实验时需要对样品进行特殊的光波道结构的加工，对材料形成破坏，导致被测过的样品难以再做器件。另一种简单的方法是直接采用材料生长过程中的设计参数来估计响应波长，但由于量子阱红外探测器响应波长对量子阱材料宽度的敏感度是在一个原子层量...
【技术保护点】
一种用于ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料预测量子阱红外探测器响应波长的设备，其特点是该设备包括：Ａ、共焦激光荧光探测系统，由样品台（１）、物镜（３）、分色片（４）、滤光片（５）、会聚镜（６）、共焦孔（７）、光栅（８）、探测器（９）组成； Ｂ、激光器；Ｃ、计算机，该计算机安装有可根据输入量子阱荧光光谱数据和势垒荧光光谱数据即能计算量子阱红外探测器响应波长的计算机软件。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陆卫，蔡炜颖，李志锋，李宁，江俊，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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