存储器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种存储器，绝缘图案至少覆盖间隔节点接触结构的第一开口的侧壁并向上延伸至高于所述节点接触结构，绝缘图案的上表面还往所述第一开口中凹陷以形成凹陷部，使得通过一层膜层即可替代现有的两个膜层构成的绝缘图案，从而省略了现有技术中研磨去除部分厚度的绝缘材料层以及重新形成掩模材料层的步骤，简化了存储器的制备工艺，提高了制备的效率，并且由于形成电容结构时通常会采用到多次研磨工艺使得衬底的表面平坦化，所以即使绝缘图案的表面不平整也不会对存储器的性能产生影响。

【技术实现步骤摘要】
存储器
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种存储器。
技术介绍
存储器，例如动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)，其通常具有存储单元阵列，所述存储单元阵列中包括多个呈阵列式排布的存储单元。所述存储器具有多条字线结构和位线结构，字线结构埋入在衬底中，位线结构形成在衬底上且与相应的存储单元电性连接，并且所述存储器还包括电容结构，所述电容结构用于存储代表存储信息的电荷，以及所述存储单元可通过一节点接触结构电性连接所述电容结构，从而实现各个存储单元的存储功能。图1a～图1e为现有的一种存储器的形成方法形成的结构示意图。参阅图1a～图1d，有的存储器的形成方法包括：如图1a所示，在衬底100’上形成位线结构200’之后，形成覆盖衬底100’及位线结构200’的导电材料层300’。然后如图1b所示，刻蚀所述导电材料层300’以及位线结构200’的部分高度，形成第一开口300a’，所述第一开口300a’将剩余的导电材料层300’间隔为多个节点接触结构300b’。然后如图1c所示，在多个节点接触结构300b’上形成绝缘材料层410’，所述绝缘材料层410’还填充所述第一开口300a’。此时由于所述绝缘材料层410’的上表面可能不平整，如图1d所示，需要先研磨所述绝缘材料层410’直至去除所述节点接触结构300b’的上表面的绝缘材料层410’以使绝缘材料层410’以及所述节点接触结构300b’的上表面平整。然后如图1e所示，在绝缘材料层410’上顺次形成掩模材料层420’以及堆叠材料层500’，最后刻蚀堆叠材料层500’及掩模材料层420’形成第二开口501a’，使得所述第二开口501a’露出所述节点接触结构300b’，在后续步骤中可以在第二开口501a’中形成电容结构的下电极。此时，剩余的绝缘材料层410’和掩模材料层420’构成多个绝缘图案400’。这里的每个绝缘图案400’均包括两个膜层(堆叠的绝缘材料层410’和掩模材料层420’)，两个膜层在后续步骤中起到的作用实际上是相同的，所以采用两个膜层构成绝缘图案400’导致存储器的制备工艺的难度和复杂度增加，降低了制备效率。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种存储器，在不影响存储器性能的情况下简化存储器的形成工艺。为了达到上述目的，本技术提供了一种存储器，包括：衬底；多个节点接触结构，从所述衬底上向上延伸；多个第一开口，位于相邻的节点接触结构之间以电性隔离所述节点接触结构；绝缘图案，位于所述第一开口，所述绝缘图案至少覆盖所述第一开口的侧壁并向上延伸至高于所述节点接触结构，所述绝缘图案的上表面还往所述第一开口中凹陷以形成凹陷部；以及，电容结构，位于所述节点接触结构上并电性连接所述节点接触结构。可选的，所述电容结构包括：金属氧化物层，至少部分位于所述绝缘图案上。可选的，所述金属氧化物层遮盖所述凹陷部的开口以形成气隙；或者，所述金属氧化物层填充部分深度的凹陷部以形成气隙。可选的，所述金属氧化物层完全填充所述凹陷部。可选的，所述绝缘图案还延伸至覆盖部分节点接触结构的顶部。可选的，以所述第一开口的底部的高度位置为界限将所述节点接触结构分为上节点接触部和下节点接触部，在垂直于高度方向上，所述上节点接触部的最大宽度尺寸大于所述下节点接触部的最大宽度尺寸。在本技术提供的存储器中，绝缘图案至少覆盖间隔节点接触结构的第一开口的侧壁并向上延伸至高于所述节点接触结构，绝缘图案的上表面还往所述第一开口中凹陷以形成凹陷部，使得通过一层膜层即可替代现有的两个膜层构成的绝缘图案，从而省略了现有技术中研磨去除部分厚度的绝缘材料层以及重新形成掩模材料层的步骤，简化了存储器的制备工艺，提高了制备的效率，并且由于形成电容结构时通常会采用到多次研磨工艺使得衬底的表面平坦化，所以即使绝缘图案的表面不平整也不会对存储器的性能产生影响；进一步，通过在所述第一开口形成气隙从而降低节点接触结构之间的寄生电容。附图说明图1a～图1e为现有的存储器的形成方法形成的结构示意图；图2为本技术实施例一提供的存储器的形成方法的流程图；图3a～图4g为本技术实施例一提供的存储器的形成方法形成的结构示意图；图5a为本技术实施例二提供的存储器的部分结构示意图；图5b为本技术实施例二提供的另一种存储器的部分结构示意图；图6a为本技术实施例三提供的存储器的部分结构示意图；图6b为本技术实施例三提供的另一种存储器的部分结构示意图；其中，附图标记为：100’-衬底；200’-位线结构；300’-导电材料层；300b’-节点接触结构；300a’-第一开口；410’-绝缘材料层；420’-掩模材料层；500’-堆叠材料层；501a’-第二开口；400’-绝缘图案；100-衬底；STI-沟槽隔离结构；200-位线结构；200a-节点接触窗；300-导电材料层；300a-第一开口；300b-节点接触结构；400-绝缘材料层；400a-绝缘图案；500-堆叠材料层；500a-第一氧化层；500b-第一支撑层；500c-第二氧化层；500d-第二支撑层；500e-第二开口；500f-第三开口；510a-第一支撑结构；510b-第二支撑结构；600a-筒状下电极；600b-金属氧化物层；600c-上电极；600-电容结构；G1、G2-气隙；X1-上节点接触部的最大宽度尺寸；X2-下节点接触部的最大宽度尺寸；X3-第二开口在垂直于高度方向上的宽度尺寸。具体实施方式下面将结合示意图对本技术的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。图4b或图4g为本实施例中的存储器的部分结构示意图。如图4b或图4g所示，所述存储器例如是一随机动态处理存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)元件等存储器装置，但不以此为限。详细来说，所述存储器首先包含一衬底100，所述衬底100例如为硅基底(siliconsubstrate)、含硅基底(siliconcontainingsubstrate)、外延硅基底(epitaxialsiliconsubstrate)、硅覆绝缘基底(silicon-on-insulatorsubstrate)等。所述衬底100内还定义有一存储区域(memorycellregion)以及周边区域(peripheryregion)，本实施例的附图中仅示意性的展示出存储区域。所述衬底100上形成有至少一浅沟槽隔离STI，以在所述衬底100中定义出有源区(未图示)。所述浅沟槽隔离STI的制作工艺例如是先利用刻蚀方式而于衬底100中形成至少一沟槽，再在该本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括：/n衬底；/n多个节点接触结构，从所述衬底上向上延伸；/n多个第一开口，位于相邻的节点接触结构之间以电性隔离所述节点接触结构；/n绝缘图案，位于所述第一开口，所述绝缘图案至少覆盖所述第一开口的侧壁并向上延伸至高于所述节点接触结构，所述绝缘图案的上表面还往所述第一开口中凹陷以形成凹陷部；以及，/n电容结构，位于所述节点接触结构上并电性连接所述节点接触结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
衬底；
多个节点接触结构，从所述衬底上向上延伸；
多个第一开口，位于相邻的节点接触结构之间以电性隔离所述节点接触结构；
绝缘图案，位于所述第一开口，所述绝缘图案至少覆盖所述第一开口的侧壁并向上延伸至高于所述节点接触结构，所述绝缘图案的上表面还往所述第一开口中凹陷以形成凹陷部；以及，
电容结构，位于所述节点接触结构上并电性连接所述节点接触结构。


2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述电容结构包括：
金属氧化物层，至少部分位于所述绝缘图案上。


3.如权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜逸飞，冯立伟，陈凯评，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35