半导体存储器、其制作方法及电子设备技术

本公开提供一种半导体存储器、其制作方法及一种电子设备。本公开的半导体存储器包括：位线层，具有至少两条位线；有源层，位于所述位线层上方并且包括至少两个有源区，所述两个有源区在位线层所在水平面投影的连线与位线方向倾斜相交形成交点，并且所述两个有源区关于该交点成中心对称；贴着有源区的侧壁形成的栅堆叠；以及，存储层，位于所述有源层上方并且包括至少两个存储区。该半导体存储器通过垂直地将位线所在层和存储区分离到有源区的上/下，使上/下分离的两个层和连接中间有源区的接触不在同一平面上，确保了平面上的工艺裕度，从而可以改善半导体存储器设计层面的限制，提升半导体存储器的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器、其制作方法及电子设备
本公开涉及半导体
，具体涉及一种半导体存储器、其制作方法及电子设备。
技术介绍
动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)是一种半导体存储器，通常包括位单元的阵列，每一个单元能够存储信息的位。典型的单元配置由用于存储电荷(即信息的位)的电容器以及在读取和写入操作期间提供到电容器的存取信号的存取晶体管组成。存取晶体管连接在位线和电容器之间，并且被字线信号选通(接通或关断)。在读取操作期间，经由相关联的位线从所述单元读取所存储的信息的位。在写入操作期间，经由晶体管从位线将信息的位存储在单元中。单元本质上是动态的(由于泄漏)，因此必须被周期性地刷新。现有的DRAM的制造方法是，在单元器件的垂直剖面上依序是有源区(晶体管源/漏所在区域)、位线(BitLine，简称BL)和存储区(电容器所在区域)，各区域互相分离，因此还具有连接有源区和位线的第一接触(即位线节点接触)和连接有源区和存储区的第二接触(即存储节点接触)。这时，连接最上层存储区的第二接触通过第一接触和位线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储器，其特征在于，包括：/n位线层，具有至少两条位线；/n有源层，位于所述位线层上方并且包括至少两个有源区，所述两个有源区在位线层所在水平面投影的连线与位线方向倾斜相交形成交点，并且所述两个有源区关于该交点成中心对称；/n贴着有源区的侧壁形成的栅堆叠；以及，/n存储层，位于所述有源层上方并且包括至少两个存储区。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器，其特征在于，包括：
位线层，具有至少两条位线；
有源层，位于所述位线层上方并且包括至少两个有源区，所述两个有源区在位线层所在水平面投影的连线与位线方向倾斜相交形成交点，并且所述两个有源区关于该交点成中心对称；
贴着有源区的侧壁形成的栅堆叠；以及，
存储层，位于所述有源层上方并且包括至少两个存储区。


2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述两个有源区在位线层所在水平面投影的连线与位线方向倾斜相交的角度为0至90度之间。


3.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述有源区水平截面为三角形。


4.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述位线层还包括：
位线衬底，所述至少两条位线位于所述位线衬底上；以及，
覆盖所述至少两条位线的位线隔离膜。


5.根据权利要求4所述的半导体存储器，其特征在于，所述位线衬底的制作材料为二氧化硅，所述位线的制作材料为钨，所述位线隔离膜的制作材料为氮化硅。


6.根据权利要求4所述的半导体存储器，其特征在于，所述有源区底部穿过所述位线隔离膜与位线接触。


7.根据权利要求6所述的半导体存储器，其特征在于，所述有源区顶部通过着陆焊盘与存储区接触。


8.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述两个有源区之间通过纵向隔离层隔离。


9.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述栅堆叠包括栅介质层和栅导体层，栅堆叠的高度低于有源区。


10.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述栅介质层贴着所述有源区和纵向隔离层构成的沟槽的侧壁和底壁，栅导体层位于其中。


11.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：全宗植，吴容哲，杨涛，高建峰，李俊峰，殷华湘，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11