一种含蒽类衍生物及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种含蒽类衍生物及其制备方法和应用，含蒽类衍生物具有式Ⅰ所示通式。该含蒽类衍生物制备的有机电致发光器件具有较高的发光效率。还具有较高的寿命及较低的驱动电压。有机电致发光器件的发光效率为32.7～38.1％；驱动电压为3.3～3.8V；T(95)为122～153h。

【技术实现步骤摘要】
一种含蒽类衍生物及其制备方法和应用
本专利技术属于有机光电材料
，尤其涉及一种含蒽类衍生物及其制备方法和应用。
技术介绍
OLED，是指有机电致发光器件。由于其颜色明亮、视角宽、与全动视频相容、温度范围广、形状因子薄且适合、动力需求低且具有用于低成本制造工艺的潜能，所以OLEDs被看作是阴极射线管(CRTs)和液晶显示器(LCDs)的未来替代技术。为了制作高效率的有机发光器件，研究者逐渐把器件内有机物层的结构从单层变为多层结构。把有机电致发光器件设计为多层结构是由于空穴和电子的移动速度不同OLED器件中空穴传输材料的空穴迁移率一般远大于电子传输材料的电子迁移率，这种载流子传输速率不平衡会带来器件性能的显著下降。因此设计性质优异的电子传输材料非常重要。通常来说，电子传输材料都是具有大的共轭结构的平面芳香族化合物，它们大多具有较好的电子接受能力，同时在一定的正向偏压下又可以有效的传递电子。目前传统的电子传输材料包括Alq3、TAZ、TPBi、Bphen、BCP等的电子迁移率都不是很高，与空穴传输材料较高的空穴迁移率相比所带来的不均衡会严重影响器件的稳定性。同时随着蓝光磷光器件以及白光器件的发展，这些材料低的三线态不能有效地把激子局限在发光层中，激子的扩散与复合淬灭会在很大程度上影响器件发光效率和发光纯度。另外这些材料的玻璃化转变温度比较低，这导致在器件工作过程中产生的热量带来材料本身的结晶，器件的稳定性会降低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种含蒽类衍生物及其制备方法和应用，该含蒽类衍生物制备的有机电致发光器件具有较高的发光效率。本专利技术提供了一种含蒽类衍生物，具有式Ⅰ所示通式：所述Y选自O、S、C(R3R4)、Si(R5R6)或N(R7)；所述n1和n2的取值独立地选自1、2、3或4；所述R1～R7独立地选自氢、经取代或未经取代的C1～C12的烷基、经取代或未经取代的C6～C30的芳基、或经取代或未经取代的3元～30元的杂芳基；所述L选自经取代或未经取代的C6～C30的芳基；或经取代或未经取代的3元～30元的杂芳基；所述X1～X8独立地选自C、O、S、N或Si，且至少含有O、S、N、Si中的一种；所述Ar1选自经取代或未经取代的C6～C30芳基；或经取代或未经取代的3元～30元的杂芳基。优选地，所述R1～R7独立地选自经取代或未经取代的C1～C6的烷基、经取代或未经取代的C6～C20的芳基、或经取代或未经取代的3元～10元的杂芳基；所述L选自经取代或未经取代的C6～C20的芳基；或经取代或未经取代的3元～10元的杂芳基；所述Ar1选自经取代或未经取代的C6～C20芳基；或经取代或未经取代的3元～10元的杂芳基。优选地，所述Ar1选自优选地，所述R1选自氢、CH3、所述R2选自氢、-CH3、所述L选自所述Y选自O、S或优选地，所述含蒽类衍生物具体为化合物1～125中任一种。本专利技术提供了一种上述技术方案所述含蒽类衍生物的制备方法，包括以下步骤：将具有式Ⅱ结构的反应物和具有式Ⅲ结构的反应物在叔丁醇钠、Pd2(dba)3、三叔丁基膦存在下反应，终止反应后得到具有式Ⅰ结构的含蒽类衍生物；式Ⅲ中，所述X选自卤素。本专利技术提供了一种有机电致发光器件，包括第一电极、第二电极和置于两电极之间的一个或多个有机化合物层；至少一个有机化合物层中包括上述技术方案所述的含蒽类衍生物。本专利技术提供了一种含蒽类衍生物，具有式Ⅰ所示通式。该含蒽类衍生物制备的有机电致发光器件具有较高的发光效率。还具有较高的寿命及较低的驱动电压。实验结果表明：有机电致发光器件的发光效率为32.7～38.1％；驱动电压为3.3～3.8V；T(95)为122～153h。附图说明图1为本专利技术实施例1制备的化合物1的质谱图；图2为本专利技术实施例1制备的化合物1的HNM图。具体实施方式本专利技术提供了一种含蒽类衍生物，具有式Ⅰ所示通式：所述Y选自O、S、C(R3R4)、Si(R5R6)或N(R7)；所述n1和n2的取值独立地选自1、2、3或4；所述R1～R7独立地选自氢、经取代或未经取代的C1～C12的烷基、经取代或未经取代的C6～C30的芳基、或经取代或未经取代的3元～30元的杂芳基；所述L选自经取代或未经取代的C6～C30的芳基；或经取代或未经取代的3元～30元的杂芳基；所述X1～X8独立地选自C、O、S、N或Si，且至少含有O、S、N、Si中的一种；所述Ar1选自经取代或未经取代的C6～C30芳基；或经取代或未经取代的3元～30元的杂芳基。在本专利技术中，所述X1～X8独立地选自C、O、S、N或Si，且至少含有O、S、N、Si中的一种，且必须含有C；优选地，所述X1～X8选自C和N。在本专利技术中，所述R1～R7独立地选自经取代或未经取代的C1～C6的烷基、经取代或未经取代的C6～C20的芳基、或经取代或未经取代的3元～10元的杂芳基；所述R1优选选自氢、-CH3、所述R2优选选自氢、-CH3、所述R3～R7选自甲基。所述Y优选选自O、S或所述L优选选自经取代或未经取代的C6～C20的芳基；或经取代或未经取代的3元～10元的杂芳基；更优选选自所述Ar1优选选自经取代或未经取代的C6～C20芳基；或经取代或未经取代的3元～10元的杂芳基，更优选选自在本专利技术中，所述含蒽类衍生物优选具体为化合物1～125中任一种：在本专利技术中，术语“经取代或未经取代的”意指被选自以下的一个、两个或更多个取代基取代：氘；卤素基团；腈基；羟基；经取代或未经取代的烷基；经取代或未经取代的环烷基；经取代或未经取代的烷氧基；经取代或未经取代的烯基；经取代或未经取代的烷基胺基；经取代或未经取代的杂环基胺基；经取代或未经取代的芳基胺基；经取代或未经取代的芳基；和经取代或未经取代的杂环基，或者被以上所示的取代基中的两个或更多个取代基相连接的取代基取代，或者不具有取代基。例如，“两个或更多个取代基相连接的取代基”可以包括联苯基。换言之，联苯基可以为芳基，或可以解释为两个苯基相连接的取代基。本专利技术提供了一种上述技术方案所述含蒽类衍生物的制备方法，包括以下步骤：将具有式Ⅱ结构的反应物和具有式Ⅲ结构的反应物在叔丁醇钠、Pd2(dba)3、三叔丁基膦存在下反应，终止反应后得到具有式Ⅰ结构的含蒽类衍生物；式Ⅲ中，所述X选自卤素，优选选自Br或Cl。本专利技术优选将具有式Ⅱ结构的反应物和叔丁醇钠混合，氮气保护下，室温下搅拌8～12min；再加入具有式Ⅲ结构的反应物、Pd2(dba)3、三叔丁基膦。在本专利技术中，所述反应的温度为10本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含蒽类衍生物，具有式Ⅰ所示通式：/n

【技术特征摘要】
1.一种含蒽类衍生物，具有式Ⅰ所示通式：



所述Y选自O、S、C(R3R4)、Si(R5R6)或N(R7)；
所述n1和n2的取值独立地选自1、2、3或4；
所述R1～R7独立地选自氢、经取代或未经取代的C1～C12的烷基、经取代或未经取代的C6～C30的芳基、或经取代或未经取代的3元～30元的杂芳基；
所述L选自经取代或未经取代的C6～C30的芳基；或经取代或未经取代的3元～30元的杂芳基；
所述X1～X8独立地选自C、O、S、N或Si，且至少含有O、S、N、Si中的一种；
所述Ar1选自经取代或未经取代的C6～C30芳基；或经取代或未经取代的3元～30元的杂芳基。


2.根据权利要求1所述的含蒽类衍生物，其特征在于，所述R1～R7独立地选自经取代或未经取代的C1～C6的烷基、经取代或未经取代的C6～C20的芳基、或经取代或未经取代的3元～10元的杂芳基；
所述L选自经取代或未经取代的C6～C20的芳基；或经取代或未经取代的3元～10元的杂芳基；
所述Ar1选自经取代或未经取代的C6～C20芳基；或经取代或未经取代的3元～10元的杂芳基。


3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永光，张雪，汪康，陈振生，王进政，张鹤，马晓宇，
申请(专利权)人：吉林奥来德光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林;22