对光片进行扫描式电子显微镜确认的方法技术

本发明专利技术公开了一种对光片进行ＳＥＭ确认的方法。本发明专利技术利用ＦＩＢ定位光片进行ＳＥＭ的确认。对光片进行ＦＩＢ打标记，制造两个标记，分别作为第一点和第二点的校准点，在此基础上寻找和确定缺陷。本发明专利技术可以提高精确度，节省时间提高效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种对光片进行扫描式电子显微镜(ScanningElectron Microscopy简称SEM)确认的方法。
技术介绍
目前对光片进行SEM确认的方法一般是首先将晶元片周边四点校准点粗对准，找到较大的缺陷时再采用定位P和定位Q(简称SETPQ)进行细对准来确认光片SEM。即使采用SET PQ进行细对准来确认光片SEM，由于很难在光片上找到两个符合要求的比较小缺陷来进行这样的细对准，会影响必要的数据采集和分析，造成这种方法精度低的缺点。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种对光片进行SEM确认的方法，它可以更精确的进行SEM确认，操作简单。为解决上述技术问题，本专利技术所述的对光片进行SEM确认的方法，包括以下步骤从数据分析软件系统中随机调用一枚晶元片的数据图，将其传送到聚焦离子束系统(Focus Ion Bean System简称FIB)上；用刚才传送的晶元片数据来装载待确认的光片；对光片进行FIB打标记，制造两个标记；将打完标记的光片卸载出FIB并且置于晶元缺陷检查系统(Wafer Defect Inspection System简称KLA)或先进的在线缺陷检查系统(Advanced In-Line Defect InspectionSystem简称AIT)检查设备上检测；将包括所有缺陷数据的检查结果传送到数据分析软件系统中；从数据分析软件系统中调用被检测光片的数据，将其传送到SEM上，并装载待确认的光片；晶元片周边四点对位进行初步的对位，并自动寻找缺陷；在找到第一个标记的位置后，把标记置于画面中心位置，进行“SET PQ”操作，作为第一点的校准点；用同样的方法找到第二个标记的位置，进行“SET PQ”操作，把它作为第二点的校准点；继续寻找和确认缺陷。本专利技术的对光片进行SEM确认的方法比较精确地定义了两个点的校准点，在随后的缺陷寻找和确认过程中极大地提高了效率。可以提高精确度，节省时间。附图说明图1为本专利技术对光片进行SEM确认的方法中用FIB打完两个标记后晶元片的状态示意图；图2为本专利技术一种对光片进行SEM确认的方法的步骤流程图。具体实施例方式首先从数据分析软件系统中随机调用一枚晶元片的数据图，将其传送到FIB上；用刚才传送的晶元片数据来装载待确认的光片，当光片进入设备后就可以开始对它进行FIB打标记了。打标记的方法就如同挖FIB一样先确定需要打标记的位置，一般为距离晶元片周边2cm-3cm的位置。随后开启离子源，慢慢不断提升电压，使得离子源电流达到一定大小。接着确定所需要的标记大小和深度(为了在SEM中方便找寻，并且不要过大引起无谓的偏差，一般以10um×10um为大小、2um为深度来进行作业)，然后点击确认，开始进行作业。打一个标记的时间视电流大小而定，一般打一个标记约需要十几分钟左右。一个标记完成后，在打另一个，另一个标记的大约位置为前一个标记过晶元片圆心的对称点，即两个标记的连线尽量有最小的悬心距，接着用同样的方法确定完成另一个标记，打完两个标记后晶元片的状态如图1。将打完标记的光片卸载出FIB，置于KLA或AIT检查设备上检测一遍，检查的结果就同时包括晶元片表面原有的缺陷和刚才人为制造的两个标记，将包括所有缺陷的总数据传送到数据分析软件系统中。从数据分析软件系统中调用光片的数据图，将其传送到SEM上，并装载待确认的光片，当光片进入设备后就开始对它进行SEM确认。先进行初步的对位，即晶元片周边四点对位，然后它会自动开始寻找缺陷。首先要找到第一个标记的位置，因为一般标记大小为10um×10um、深度为2um，所以在SEM中只需要在200-300倍的倍率下就能比较清楚地看到这个标记，把它移到画面中心，放大倍率后进行高倍调整，确定把标记置于画面中心位置后，选择“SET PQ”，这样就把它作为第一点的校准点，然后运用同样的方法找到第二个标记的位置，选择“SET PQ”，把它作为第二点的校准点。这样就比较精确地定义了两个点的校准点，再用一般的方法来寻找和确认其他的缺陷。权利要求1.一种，其特征在于，包括以下步骤第一步，从数据分析软件系统中随机调用一枚晶元片的数据图，将其传送到FIB上；第二步，用刚才传送的晶元片数据来装载待确认的光片；第三步，对光片进行FIB打标记，制造两个标记；第四步，将打完标记的光片卸载出FIB并置于KLA或AIT检查设备上检测；第五步，将包括所有缺陷数据的检查结果传送到数据分析软件系统中；第六步，从数据分析软件系统中调用被检测光片的数据图，将其传送到SEM上，并装载待确认的光片；第七步，晶元片周边四点对位进行初步的对位，并自动寻找缺陷；第八步，在找到第一个标记的位置后，把标记置于画面中心位置，进行“SET PQ”操作，作为第一点的校准点；第九步，用同样的方法找到第二个标记的位置，进行“SET PQ”操作，把它作为第二点的校准点；第十步，继续寻找和确认缺陷，直至找出所有缺陷。全文摘要本专利技术公开了一种对光片进行SEM确认的方法。本专利技术利用FIB定位光片进行SEM的确认。对光片进行FIB打标记，制造两个标记，分别作为第一点和第二点的校准点，在此基础上寻找和确定缺陷。本专利技术可以提高精确度，节省时间提高效率。文档编号G01N21/88GK1789987SQ20041009300公开日2006年6月21日 申请日期2004年12月15日 优先权日2004年12月15日专利技术者刘佳亮 申请人:上海华虹Nec电子有限公司 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对光片进行扫描式电子显微镜确认的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，从数据分析软件系统中随机调用一枚晶元片的数据图，将其传送到ＦＩＢ上；第二步，用刚才传送的晶元片数据来装载待确认的光片；第三步，对光片进行ＦＩ Ｂ打标记，制造两个标记；第四步，将打完标记的光片卸载出ＦＩＢ并置于ＫＬＡ或ＡＩＴ检查设备上检测；第五步，将包括所有缺陷数据的检查结果传送到数据分析软件系统中；第六步，从数据分析软件系统中调用被检测光片的数据图，将其传 送到ＳＥＭ上，并装载待确认的光片；第七步，晶元片周边四点对位进行初步的对位，并自动寻找缺陷；第八步，在找到第一个标记的位置后，把标记置于画面中心位置，进行“ＳＥＴＰＱ”操作，作为第一点的校准点；第九步，用同样的方 法找到第二个标记的位置，进行“ＳＥＴＰＱ”操作，把它作为第二点的校准点；　第十步，继续寻找和确认缺陷，直至找出所有缺陷。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘佳亮，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]