晶圆扩片方法技术

本发明专利技术公开一种晶圆扩片方法，包括步骤：提供一晶圆模组，所述晶圆模组包括晶圆、贴膜和安装环，所述贴膜的外周粘接于所述安装环上，所述晶圆的背面粘接在所述贴膜上，所述晶圆具有多个芯片；对所述晶圆进行切割，以使任意相邻的两个所述芯片之间具有切缝；提供一工装，设置于所述晶圆模组的下方；驱动所述工装上升顶起并撑开所述贴膜，以对所述贴膜进行扩片处理，以使所述切缝断开后分离所述贴膜上的各芯片。本发明专利技术的来料晶圆切割后利用工装直接对来料UV膜进行扩片处理，无需进行换膜或者粘膜操作，节省了换膜或粘膜材料及操作工序，操作简单方便，减轻了人工劳动强度，提高了生产效率。同时降低污染晶圆的风险，提高产品良率，保证产品质量。

【技术实现步骤摘要】
晶圆扩片方法
本专利技术涉及半导体封装和测试
，特别涉及一种晶圆扩片方法。
技术介绍
目前，封装厂对晶圆扩片通常是利用扩片环扩片或利用粘性膜粘接扩片这两种形式。利用扩片环扩片的方式，由于来料晶圆的UV膜无法用扩片环固定，因而需要在扩片前进行换膜，具体地，在对来料晶圆进行激光隐形切割前，需要单独覆封装厂的UV(UltravioletRays，紫外线)膜，再将来料晶圆从来料UV膜上取下，粘贴在封装厂的UV膜上。原则上可要求晶圆厂使用自己的UV膜。但因为UV膜有时效性，无法保证产品质量。而采用粘性膜粘接扩片的方式，也需要单独覆封装厂的UV膜，具体地，将封装厂的UV膜覆在frame(钢圈)上，并将中间部分掏空。来料晶圆可直接放入激光隐形切割机内进行切割。切割完成后即可进行扩片操作。在扩片时，将提前准备好的已掏空的UV膜与来料UV膜对粘，以防止UV膜回缩，最终达到扩片的目的。但是，以上两种扩片方式，均需要封装厂自购UV膜，成本比较高，且扩片过程中需要耗费大量的人力物力，生产效率低。另外，人工操作风险高，产品扩片后芯片与芯片之间的间隙不均匀，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆扩片方法，其特征在于，所述晶圆扩片方法包括如下步骤：/n提供一晶圆模组，所述晶圆模组包括晶圆、贴膜和安装环，所述贴膜的外周粘接于所述安装环上，所述晶圆的背面粘接在所述贴膜上，所述晶圆具有多个芯片；/n对所述晶圆进行切割，以使任意相邻的两个所述芯片之间具有切缝；/n提供一工装，设置于所述晶圆模组的下方；/n驱动所述工装上升顶起并撑开所述贴膜，以对所述贴膜进行扩片处理，以使所述切缝断开后分离所述贴膜上的各芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆扩片方法，其特征在于，所述晶圆扩片方法包括如下步骤：
提供一晶圆模组，所述晶圆模组包括晶圆、贴膜和安装环，所述贴膜的外周粘接于所述安装环上，所述晶圆的背面粘接在所述贴膜上，所述晶圆具有多个芯片；
对所述晶圆进行切割，以使任意相邻的两个所述芯片之间具有切缝；
提供一工装，设置于所述晶圆模组的下方；
驱动所述工装上升顶起并撑开所述贴膜，以对所述贴膜进行扩片处理，以使所述切缝断开后分离所述贴膜上的各芯片。


2.如权利要求1所述的晶圆扩片方法，其特征在于，所述工装包括顶撑环和顶撑凸起，所述顶撑凸起自所述顶撑环向上凸起；
所述驱动所述工装上升顶起并撑开所述贴膜，以对所述贴膜进行扩片处理，以使所述切缝断开后分离所述贴膜上的各芯片的步骤包括：
驱动所述工装上升，所述顶撑环抵接所述安装环，所述顶撑凸起向上顶起并撑开所述贴膜。


3.如权利要求2所述的晶圆扩片方法，其特征在于，所述顶撑环与所述安装环的形状匹配，所述顶撑凸起呈环状，并环设于所述顶撑环的内壁；
所述驱动所述工装上升，所述顶撑环抵接所述安装环，所述顶撑凸起向上顶起并撑开所述贴膜的步骤包括：
驱动所述工装以预设速度上升，所述顶撑环抵紧所述安装环并与所述安装环层叠设置，所述顶撑凸起伸入所述安装环内，且向上顶起并撑开所述贴膜；其中，所述预设速度为2～20mm/s。


4.如权利要求2所述的晶圆扩片方法，其特征在于，在所述驱动所述工装上升顶起并撑开所述贴膜，以对所述贴膜进行扩片处理，以使所述切缝断开后分离所述贴膜上的各芯片的步骤之前，还包括：
提供一固定设备，所述固定设备将所述晶圆模组固定。


5.如权利要求4所述的晶圆扩片方法，其特征在于，所述固定设备包括吸嘴和与所述吸嘴连通的抽真空件；
所述提供一固定设备，所述固定设备将所述晶圆模组固定的步骤包括：
通过所述抽真空件对所述吸嘴进行抽真空处理，使所述安装环吸附于所述吸嘴下方，以将所述晶圆模组固定。


6.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海升，詹新明，曾斌，
申请(专利权)人：青岛歌尔微电子研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37