一种顶栅结构的In-cell触控面板及制作方法技术

本发明专利技术公开一种顶栅结构的In‑cell触控面板及制作方法，其中制作方法包括：在基板上依次制作有源层、栅极绝缘层、栅极和第一光阻，使用具有透光区、部分透光区、遮光区的灰阶光罩对栅极上的第一光阻进行曝光并显影，保留灰阶光罩的部分透光区和遮光区对应的第一光阻；去除未被保留后的第一光阻覆盖的有源层、栅极绝缘层、栅极；继续涂布第二光阻；使用所述灰阶光罩对第二光阻进行曝光；增大曝光过程中的曝光量或者曝光时间，使得半透光区完全曝光，显影后保留遮光区对应的第二光阻；去除未被第二光阻覆盖的栅极和栅极绝缘层，最后去除栅极区域处的光阻。上述技术方案通过一道灰阶光罩便可以制作数道制程，减少光罩的数量的同时，简化工艺流程。

【技术实现步骤摘要】
一种顶栅结构的In-cell触控面板及制作方法
本专利技术涉及In-cell触控面板
，尤其涉及一种顶栅结构的In-cell触控面板及制作方法。
技术介绍
目前非晶态金属氧化物半导体发展迅速。其中，非晶InGaZnO(IGZO)凭借其简单的制备工艺以及优异的光电学性能而成为TFT制备的理想材料，以其制备的TFT有着高迁移率、高开关比等特点，具有替代a-Si的潜力。较a-SiTFT相比，IGZO-TFT的载流子迁移率可以达到10～30cm2/V·S，大大提高TFT对像素电极的充放电效率和响应速度。更为重要的是，IGZO制程和现有的a-Si生产线具有很好的兼容性，较生产工艺更为复杂、设备投资更高的低温多晶硅(LTPS)具有更低的投资成本。随着目前显示技术的飞速发展，将触摸面板功能嵌入到液晶像素中的In-cell面板技术已经广泛应用在各种智能手机和平板电脑中。这种触控面板技术主要是将触控面板和液晶面板结合为一体，使原本具有显示功能的液晶面板同时具有触控输入功能，并且其最大的优点在于能够有效减少整个显示屏幕的厚度，厚度的减薄不仅可以降低整本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种顶栅结构的In-cell触控面板制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/n在基板上依次制作有源层、栅极绝缘层、栅极和第一光阻，使用具有透光区、部分透光区、遮光区的灰阶光罩对栅极上的第一光阻进行曝光并显影，灰阶光罩的部分透光区环绕遮光区，透光区环绕部分透光区，保留灰阶光罩的部分透光区和遮光区对应的第一光阻；/n去除未被保留后的第一光阻覆盖的有源层、栅极绝缘层、栅极；/n继续涂布第二光阻；/n使用所述灰阶光罩对第二光阻进行曝光；/n增大曝光过程中的曝光量或者曝光时间，使得半透光区完全曝光，显影后保留遮光区对应的第二光阻；/n去除未被第二光阻覆盖的栅极和栅极绝缘层，露出有源层上的两侧；/n去除...

【技术特征摘要】
1.一种顶栅结构的In-cell触控面板制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在基板上依次制作有源层、栅极绝缘层、栅极和第一光阻，使用具有透光区、部分透光区、遮光区的灰阶光罩对栅极上的第一光阻进行曝光并显影，灰阶光罩的部分透光区环绕遮光区，透光区环绕部分透光区，保留灰阶光罩的部分透光区和遮光区对应的第一光阻；
去除未被保留后的第一光阻覆盖的有源层、栅极绝缘层、栅极；
继续涂布第二光阻；
使用所述灰阶光罩对第二光阻进行曝光；
增大曝光过程中的曝光量或者曝光时间，使得半透光区完全曝光，显影后保留遮光区对应的第二光阻；
去除未被第二光阻覆盖的栅极和栅极绝缘层，露出有源层上的两侧；
去除栅极区域处的光阻，在制作后的有源层、栅极绝缘层和栅极上制作面板层。


2.根据权利要求1所述的一种顶栅结构的In-cell触控面板制作方法，其特征在于，还包括如下步骤：
在去除未被保留后的第一光阻覆盖的有源层、栅极绝缘层、栅极时，通过湿法蚀刻的方式去除未被第二光阻覆盖的有源层和栅极，通过干法蚀刻的方式去除未被第二光阻覆盖的栅极绝缘层；
在去除未被第二光阻覆盖的栅极和栅极绝缘层，露出有源层上的两侧时，通过湿法蚀刻的方式去除未被第二光阻覆盖的栅极，通过干法蚀刻的方式去除未被第二光阻覆盖的栅极绝缘层。


3.根据权利要求1所述的一种顶栅结构的In-cell触控面板制作方法，其特征在于，在基板上依次制作有源层、栅极绝缘层、栅极和第一光阻前，还包括如下步骤：
在基板上依次制作遮光层和涂布第三光阻，使用所述灰阶光罩对遮光层上的第三光阻进行曝光并显影，保留灰阶光罩的部分透光区和遮光区对应的第三光阻，去除未被第三光阻覆盖的遮光层，制作后的遮光层用于支撑所述制作后的有源层，去除第三光阻。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，黄志杰，苏智昱，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35