一种半导体废料除胶方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体废料除胶方法及装置，涉及光伏技术领域，以去除半导体废料的表面的胶体。该半导体废料除胶方法包括：将表面带有胶体的半导体废料浸泡于质量浓度大于或等于70％的硫酸中。利用质量浓度大于或等于70％的硫酸碳化半导体废料的表面的胶体，使得碳化后的胶体溶解在质量浓度大于或等于70％的硫酸中，获得除胶后的半导体废料。该半导体废料除胶装置包括反应容器和检测组件。该反应容器用于容纳用于碳化胶体的质量浓度大于或等于70％的硫酸。该检测组件用于检测半导体废料的表面的胶体碳化程度。本发明专利技术提供的半导体废料除胶方法及装置用于半导体废料除胶工艺。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体废料除胶方法及装置
本专利技术涉及光伏
，尤其涉及一种半导体废料除胶方法及装置。
技术介绍
在光伏产品制造过程中，会产生一些半导体废料，这些半导体废料经过清洗处理后，可以回收再利用。但是，有的半导体废料的表面会粘附或涂覆有胶体，这些胶体采用常规的氢氟酸、硝酸、氢氧化钠等无法清洗去除。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体废料除胶方法及装置，以方便的去除半导体废料的表面的胶体。第一方面，本专利技术提供一种半导体废料除胶方法。该半导体废料除胶方法包括：将表面带有胶体的半导体废料浸泡于质量浓度大于或等于70％的硫酸中。利用质量浓度大于或等于70％的硫酸碳化半导体废料的表面的胶体，使得碳化后的胶体溶解在质量浓度大于或等于70％的硫酸中，获得除胶后的半导体废料。采用上述技术方案时，表面带有胶体的半导体废料浸泡在质量浓度大于或等于70％的硫酸中，在该浸泡过程中，质量浓度大于或等于70％的硫酸持续碳化半导体废料表面的胶体，直至半导体废料表面的胶体碳化程度大于设定值。此时，胶体碳化后生成碳从半导体废料的表面脱离，溶解于质量浓度大于或等于70％的硫酸中，从而获得除胶后的半导体废料。由此可见，本专利技术提供的半导体废料除胶方法，能够利用质量浓度大于或等于70％的硫酸去除半导体废料的表面的胶体，从而便于回收利用表面带有胶体的半导体废料，提高材料利用率，节约资源。在一些可能的实现方式中，上述半导体废料为硅废料、锗废料、砷化镓废料中一种或多种。在一些可能的实现方式中，获得除胶后的半导体废料后，上述半导体废料除胶方法还包括：从质量浓度大于或等于70％的硫酸中分离出半导体废料；排放质量浓度大于或等于70％的硫酸。采用上述技术方案时，将半导体废料从质量浓度大于或等于70％的硫酸中分离出来，便于进一步对半导体废料进行后续的清洗等处理。在一些可能的实现方式中，获得除胶后的半导体废料前，上述半导体废料除胶方法还包括：加热质量浓度大于或等于70％的硫酸。采用上述技术方案时，加热质量浓度大于或等于70％的硫酸，可以加速质量浓度大于或等于70％的硫酸与半导体废料的表面的胶体反应，加速半导体废料的表面的胶体碳化溶解，从而提高半导体废料除胶效率。在一些可能的实现方式中，加热质量浓度大于或等于70％的硫酸的温度大于或等于50℃，且小于或等于质量浓度大于或等于70％的硫酸的沸点温度。采用上述技术方案时，在50℃以上且质量浓度大于或等于70％的硫酸的沸点温度以下的范围内加热质量浓度大于或等于70％的硫酸，可以获得较快的碳化半导体废料的表面的胶体的速率，同时确保质量浓度大于或等于70％的硫酸的质量浓度稳定。在一些可能的实现方式中，加热质量浓度大于或等于70％的硫酸的时间大于或等于20min。此时，可以确保质量浓度大于或等于70％的硫酸与半导体废料的表面的胶体能够充分反应，从而可以确保胶体的去除效果。第二方面，本专利技术提供一种半导体废料除胶装置。该半导体废料除胶装置包括反应容器和检测组件。该反应容器用于容纳质量浓度大于或等于70％的硫酸，并用于在质量浓度大于或等于70％的硫酸中浸泡表面带有胶体的半导体废料。该检测组件用于检测半导体废料的表面的胶体碳化程度，当半导体废料的表面的胶体碳化程度大于设定值时，检测组件还用于确定获得除胶后的半导体废料。第二方面所提供的半导体废料除胶装置的有益效果可以参考第一方面或第一方面任一可能的实现方式所描述的半导体废料除胶方法的有益效果。另外，半导体废料除胶装置包括检测组件。利用检测组件能够检测半导体废料的表面的胶体碳化程度，便于对半导体废料的除胶过程进行调控，从而提高半导体废料除胶效率。在一些可能的实现方式中，上述半导体废料除胶装置还包括盖结构。该盖结构可拆卸的设在反应容器上。此时，在反应容器上设置盖结构，可以使反应容器成为封闭容器。当反应容器中容纳有质量浓度大于或等于70％的硫酸时，在反应容器上设置盖结构，可以保证质量浓度大于或等于70％的硫酸处于封闭容器中，避免质量浓度大于或等于70％的硫酸挥发，从而提高半导体废料除胶效率。此外，设置盖结构，还可以避免挥发的质量浓度大于或等于70％的硫酸伤害工作人员。在一些可能的实现方式中，上述半导体废料除胶装置还包括加热套。反应容器设在加热套内。加热套用于加热质量浓度大于或等于70％的硫酸，使得反应容器内所容纳的质量浓度大于或等于70％的硫酸在较高温度下可以比较快的碳化半导体废料表面的胶体，从而提高半导体废料除胶效率。在一些可能的实现方式中，上述半导体废料除胶装置还包括壳体。加热套设在壳体内。此时，壳体起到支撑加热套和反应容器的作用。在一些可能的实现方式中，上述半导体废料除胶装置还包括排放管件和排放阀。排放管件安装在反应容器上，排放管件穿过加热套从壳体伸出。排放阀设在排放管件上。此时，排放管件和排放阀组合实现排放质量浓度大于或等于70％的硫酸的目的。在一些可能的实现方式中，上述检测组件包括温度传感器、计时器及与温度传感器和计时器电连接的控制器。该温度传感器用于检测质量浓度大于或等于70％的硫酸的温度。该计时器用于测定表面带有胶体的半导体废料在质量浓度大于或等于70％的硫酸内的浸泡时间。该控制器用于根据浸泡时间和质量浓度大于或等于70％的硫酸的温度确定半导体废料的表面的胶体碳化程度。采用上述技术方案时，利用温度传感器、计时器及控制器，能够实时确定半导体废料的表面的胶体碳化程度，从而判断除胶程度，便于对半导体废料的除胶过程进行调控，提高工作效率。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1为半导体废料除胶方法流程示意图一；图2为半导体废料除胶方法流程示意图二；图3为半导体废料除胶装置结构示意图。附图标记：10-反应容器，20-检测组件，21-温度传感器，22-计时器，23-控制器，30-加热套，40-壳体，50-盖板，51-把手，61-排放管件，62-排放阀。具体实施方式为了便于清楚描述本专利技术实施例的技术方案，在本专利技术的实施例中，采用了“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分。本领域技术人员可以理解“第一”、“第二”等字样并不对数量和执行次序进行限定，并且“第一”、“第二”等字样也并不限定一定不同。需要说明的是，本专利技术中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本专利技术中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其他实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。本专利技术中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体废料除胶方法，其特征在于，包括：/n将表面带有胶体的半导体废料浸泡于质量浓度大于或等于70％的硫酸中；/n利用所述质量浓度大于或等于70％的硫酸碳化所述半导体废料的表面的胶体，使得碳化后的胶体溶解在所述质量浓度大于或等于70％的硫酸中，获得除胶后的半导体废料。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体废料除胶方法，其特征在于，包括：
将表面带有胶体的半导体废料浸泡于质量浓度大于或等于70％的硫酸中；
利用所述质量浓度大于或等于70％的硫酸碳化所述半导体废料的表面的胶体，使得碳化后的胶体溶解在所述质量浓度大于或等于70％的硫酸中，获得除胶后的半导体废料。


2.根据权利要求1所述的半导体废料除胶方法，其特征在于，所述获得除胶后的半导体废料后，所述半导体废料除胶方法还包括：
从所述质量浓度大于或等于70％的硫酸中分离出所述半导体废料；
排放所述质量浓度大于或等于70％的硫酸。


3.根据权利要求1或2所述的半导体废料除胶方法，其特征在于，所述获得除胶后的半导体废料前，所述半导体废料除胶方法还包括：加热所述质量浓度大于或等于70％的硫酸。


4.根据权利要求3所述的半导体废料除胶方法，其特征在于，加热所述质量浓度大于或等于70％的硫酸的温度大于或等于50℃，且小于或等于所述质量浓度大于或等于70％的硫酸的沸点温度；和/或，
加热所述质量浓度大于或等于70％的硫酸的时间大于或等于20min。


5.一种半导体废料除胶装置，其特征在于，包括：
反应容器，用于容纳质量浓度大于或等于70％的硫酸，并用于在所述质量浓度大于或等于70％的硫酸中浸泡表面带有胶体的半导体废料；
检测组件，用于检测半导体废料的表面的胶...

【专利技术属性】
技术研发人员：王雪峰，王霞，黄学宁，
申请(专利权)人：宁夏隆基硅材料有限公司，
类型：发明
国别省市：宁夏;64