具沉积式透镜的封装结构制造技术

技术编号:25813432 阅读:23 留言:0更新日期:2020-09-29 18:50
一种具沉积式透镜的封装结构包含支撑座、发光源与低温沉积层。支撑座其内具有凹槽。发光源位于支撑座的凹槽中。低温沉积层覆盖发光源,且低温沉积层的顶面为弧形。低温沉积层可作为发光源的保护层,可取代在传统支撑座上部设置玻璃盖板的设计。

【技术实现步骤摘要】
具沉积式透镜的封装结构
本揭露是有关一种具沉积式透镜的封装结构。
技术介绍
随着光学技术的蓬勃发展,有关紫外光LED封装结构被应用于许多领域,例如:紫外光固化、紫外光杀菌、紫外光医疗等领域。传统的紫外光LED封装结构需要一个很高的支撑座,其原因是除了在支撑座的底板上设置发光源外,还需在支撑座的侧壁上部设置玻璃盖板,以保护其下方的发光源,并作为光学元件。此外,玻璃盖板与发光源之间的空间需填入氮气、氩气等气体,造成组装上的不便。如此一来,传统紫外光LED封装结构的高度高,易遮光,且因体积大而不利微小化设计。另外,支撑座与玻璃盖板的材料成本也难以降低。
技术实现思路
本技术的一技术态样为一种具沉积式透镜的封装结构。根据本技术一实施方式,一种具沉积式透镜的封装结构包含支撑座、发光源与低温沉积层。支撑座其内具有凹槽。发光源位于支撑座的凹槽中。低温沉积层覆盖发光源,且低温沉积层的顶面为弧形。在本技术一实施方式中,上述低温沉积层的顶面往远离发光源的方向凸出。在本技术一实施方式中,上述低温沉积层为无机层。在本技术一实施方式中,上述低温沉积层直接接触发光源的顶面与侧壁。在本技术一实施方式中,上述低温沉积层为氮化铝层或氧化铝层。在本技术一实施方式中,上述低温沉积层的厚度在1mm至4mm的范围中。在本技术一实施方式中,上述凹槽具有槽底与围绕槽底的侧壁,发光源位于凹槽的槽底上,且低温沉积层的一部分位于凹槽的侧壁与发光源之间。在本技术一实施方式中,上述低温沉积层直接接触凹槽的侧壁。在本技术一实施方式中,上述发光源的底面具有电极,支撑座的底面具有电极,且发光源的电极电性连接支撑座的电极。在本技术一实施方式中,上述发光源为紫外光短波发光二极管(UVCLED)。在本技术上述实施方式中,由于封装结构的发光源位于支撑座的凹槽中,且低温沉积层覆盖发光源,因此低温沉积层可作为发光源的保护层,可取代在传统支撑座上部设置玻璃盖板的设计。如此一来,支撑座的高度将不会受限于传统玻璃盖板的厚度与安装位置,可大幅降低支撑座的高度,避免遮光,且有利整体封装结构的微小化设计,并能节省支撑座与已知玻璃盖板的材料成本。此外,封装结构的低温沉积层与发光源之间不需填入额外的气体(如氮气、氩气),可节省组装封装结构的制程成本。另外,低温沉积层的顶面为弧形,可作为改变光路的光学透镜,能广泛应用于各相关领域。附图说明图1绘示根据本技术一实施方式的具沉积式透镜的封装结构的立体图;图2A绘示图1的封装结构沿线段2-2的剖面图;图2B绘示根据本技术一实施方式的具沉积式透镜的封装结构的立体图;图2C绘示根据本技术一实施方式的具沉积式透镜的封装结构的立体图;图3绘示根据本技术一实施方式的具沉积式透镜的封装结构的立体图;图4绘示根据本技术一实施方式的具沉积式透镜的封装结构的立体图。【符号说明】100,100a,100b:封装结构110:支撑座111:顶面112:凹槽113:槽底114:侧壁115:底面116:电极117:导体120,120a,120b:发光源122:顶面124:侧壁125:底面126,126a,126b:电极130:低温沉积层132:顶面2-2:线段H:高度H1,H2:厚度P:顶点具体实施方式以下将以附图揭露本技术的多个实施方式,为明确说明,许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而,应了解到,这些实务上的细节不应用以限制本技术。也就是说,在本技术部分实施方式中,这些实务上的细节是非必要的。此外,为简化附图起见,一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。图1绘示根据本技术一实施方式的具沉积式透镜的封装结构100的立体图。图2A绘示图1的封装结构100沿线段2-2的剖面图。同时参阅图1与图2A,具沉积式透镜的封装结构100包含支撑座110、发光源120与低温沉积层130。支撑座110具有相对的顶面111与底面115,且支撑座110在顶面111的一侧具有凹槽112。发光源120位于支撑座110的凹槽112中。在本实施方式中,发光源120可以为紫外光短波发光二极管(UVCLED),以覆晶技术(Flipchip)设置于支撑座110的凹槽112中,但并不用以限制本技术。此外,封装结构100的低温沉积层130覆盖发光源120,且低温沉积层130的顶面132为弧形。由于封装结构100的发光源120位于支撑座110的凹槽112中,且低温沉积层130覆盖发光源120,因此低温沉积层130可作为发光源120的保护层,可取代在传统支撑座上部设置玻璃盖板的设计。如此一来,支撑座110的高度H将不会受限于玻璃盖板的厚度与安装位置,可大幅降低支撑座110的高度H,避免遮光,且有利整体封装结构100的微小化设计,并能节省支撑座110与已知玻璃盖板的材料成本。此外,封装结构100的低温沉积层130与发光源120之间不需填入额外的气体(如氮气、氩气),可节省组装封装结构100的制程成本。另外,低温沉积层130的顶面132为弧形,可作为改变光路的光学透镜,能广泛应用于各相关领域。在本实施方式中,低温沉积层130为无机层,可适用于紫外光短波发光二极管(UVCLED)的发光源120,能广泛应用于各相关领域。一般而言,紫外光发光二极管因具有紫外光辐射会加速有机材料氧化,因此会导致光衰减问题。然而,本技术的低温沉积层130为无机层,其可利用200℃以下的金属有机物化学气相沉积法(Metalorganicchemicalvapordeposition;MOCVD)形成,可有效避免有机材料造成的光衰减问题。在本实施方式中,低温沉积层130可以为氮化铝(AlN)层或氧化铝(Al2O3)层,但并不以此为限。低温沉积层130具有光穿透性、耐腐蚀性、光学特性,且能有效阻隔水气与灰尘。低温沉积层130的顶面132往远离发光源120的方向凸出。低温沉积层130的弧形顶面132的形成方法可包含沉积无机层于支撑座110的凹槽112中并覆盖发光源120,之后于此无机层上形成灰阶光罩,接着利用反应离子刻蚀(Reactive-ionetching;RIE)法与酸性气体来蚀刻无机层。由于灰阶光罩可具有深度梯度的感光能力,因此可透过蚀刻步骤改变下方无机层形状,进而得到图2A具弧形顶面132的低温沉积层130。也就是说,低温沉积层130的成型方式是沉积完成后加以实施化学或物理蚀刻以达到目标形状的透镜(Lens)构造。在本实施方式中,低温沉积层130可直接接触发光源120的顶面122与侧壁124。低温沉积层130的厚度H1可以为发光源120的厚度H2的至少1.5倍,以具有足够本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具沉积式透镜的封装结构,其特征在于,包含:/n一支撑座,其内具有一凹槽;/n一发光源,位于该支撑座的该凹槽中;以及/n一低温沉积层,覆盖该发光源,其中该低温沉积层的顶面为弧形。/n

【技术特征摘要】
1.一种具沉积式透镜的封装结构,其特征在于,包含:
一支撑座,其内具有一凹槽;
一发光源,位于该支撑座的该凹槽中;以及
一低温沉积层,覆盖该发光源,其中该低温沉积层的顶面为弧形。


2.根据权利要求1所述的具沉积式透镜的封装结构,其特征在于,该低温沉积层的顶面往远离该发光源的方向凸出。


3.根据权利要求1所述的具沉积式透镜的封装结构,其特征在于,该低温沉积层为无机层。


4.根据权利要求1所述的具沉积式透镜的封装结构,其特征在于,该低温沉积层直接接触该发光源的顶面与侧壁。


5.根据权利要求1所述的具沉积式透镜的封装结构,其特征在于,该低温沉积层为氮化铝层或氧化铝层。


6.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈宗庆
申请(专利权)人:扬州艾笛森光电有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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