一种碳化硅芯片在TO-220中的封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种碳化硅芯片在TO‑220中的封装结构，包括一TO‑220框架，所述TO‑220框架的装片基岛上设置有若干的排气槽，所述装片基岛的正中间设置有碳化硅芯片，所述碳化硅芯片的焊线区通过一对铝线连接所述TO‑220框架的引脚形成一个电极，本实用新型专利技术借助于高温焊料将碳化硅芯片和所述装片基岛一次性烧结完成，使所有的焊盘电极完整结合。各焊盘中的任一个点，将焊接区域被所述焊盘区域完全覆盖或与之交叠，空洞率可以达到95%以上。使碳化硅芯片更有效的提高散热，提高产品功率。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅芯片在TO-220中的封装结构
本技术属于半导体TO系列封装领域，尤其涉及一种碳化硅芯片在TO-220中的封装结构。
技术介绍
现有的碳化硅芯片在TO-220中的封装结构，为了确保碳化硅可以在150度的时候可以正常使用，通常在封装中芯片和框架的焊接锡比较厚，使产品的电阻比较大，产品在应用过程中温度会比较高。同时框架的基岛是平面的，没有特殊的排气槽，同时使用的是锡丝工艺，无法控制芯片的空洞率和芯片的平整度。
技术实现思路
为了解决现有技术中的不足，本技术的目的在于提供一种碳化硅芯片在TO-220中的封装结构，该封装结构具有较好的散热性能和较高的产品功率。为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种碳化硅芯片在TO-220中的封装结构，包括一TO-220框架，所述TO-220框架的装片基岛上设置有若干的排气槽，所述装片基岛的正中间设置有碳化硅芯片，所述碳化硅芯片的焊线区通过一对铝线连接所述TO-220框架的引脚形成一个电极，通过高温焊料将所述碳化硅芯片和所述装片基岛一次性烧结完成，使所有的焊盘电极完整结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅芯片在TO-220中的封装结构，包括一TO-220框架（1），其特征在于：所述TO-220框架（1）的装片基岛（2）上设置有若干的排气槽（201），所述装片基岛（2）的正中间设置有碳化硅芯片（3），所述碳化硅芯片（3）的焊线区通过一对铝线（4）连接所述TO-220框架（1）的引脚形成一个电极，通过高温焊料将所述碳化硅芯片（3）和所述装片基岛（2）一次性烧结完成，使所有的焊盘电极完整结合。/n

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅芯片在TO-220中的封装结构，包括一TO-220框架（1），其特征在于：所述TO-220框架（1）的装片基岛（2）上设置有若干的排气槽（201），所述装片基岛（2）的正中间设置有碳化硅芯片（3），所述碳化硅芯片（3）的焊线区通过一对铝线（4）连接所述TO-220框架...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅宇峰，
申请(专利权)人：品捷电子苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32