横向双扩散晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，提供了一种横向双扩散晶体管及其制造方法，该横向双扩散晶体管包括：具有第一掺杂类型的衬底；位于衬底中且具有第一掺杂类型的沟道区；漂移区，位于衬底中且围绕沟道区设置，具有第二掺杂类型；位于衬底上的源极电极和漏极电极，且该源极电极位于沟道区中，该漏极电极位于漂移区中；位于衬底上的栅叠层，该栅叠层位于源极电极和漏极电极之间，包括在衬底上依次堆叠的栅氧化层和栅极电极，其中，该栅氧化层为阶梯氧化层，具有与源极电极相邻近的第一台阶和与漏极电极相邻近的第二台阶，且第一台阶的上表面高度低于第二台阶的上表面高度。由此可有效缩短电流路径，降低源漏导通电阻。

【技术实现步骤摘要】
横向双扩散晶体管及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种横向双扩散晶体管及其制造方法。
技术介绍
横向扩散MOS(LateralDouble-DiffusedMOSFET，LDMOS)晶体管作为功率场效应晶体管的一种，具有工艺兼容、热稳定性和频率稳定性好、增益高、反馈电容和热阻低、以及输入阻抗恒定等优良特性，因此得到了广泛应用，人们对于LDMOS的性能要求也越来越高。LDMOS器件是整个功率集成电路的关键组成部分，其结构性能直接影响到功率集成电路的性能。衡量LDMOS性能的主要参数有导通电阻和击穿电压，导通电阻越小越好，击穿电压越大越好。事实上，导通电阻和击穿电压是互相矛盾的两个参数。在LDMOS的实际应用中，要求在满足源漏击穿电压off-BV高的前提下，尽可能降低器件的源漏导通电阻Rdson，但是源漏击穿电压与导通电阻的优化要求确是矛盾的。通常来说，降低LDMOS的导通阻抗的方法就是在不断提高漂移区浓度的同时，通过各种降低表面电场(Reducesurfaceelectricfield，RESURF)理论，使其能够完全耗本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种横向双扩散晶体管，包括：/n衬底，具有第一掺杂类型；/n沟道区，位于所述衬底中，具有第一掺杂类型；/n漂移区，位于所述衬底中且围绕所述沟道区设置，具有第二掺杂类型；/n位于所述衬底上的源极电极和漏极电极，所述源极电极位于所述沟道区中，所述漏极电极位于漂移区中；/n位于所述衬底上的栅叠层，所述栅叠层位于所述源极电极和所述漏极电极之间，所述栅叠层包括在所述衬底上依次堆叠的栅氧化层和栅极电极，/n其中，所述栅氧化层为阶梯氧化层，具有与所述源极电极相邻近的第一台阶和与所述漏极电极相邻近的第二台阶，且所述第一台阶的上表面高度低于所述第二台阶的上表面高度。/n

【技术特征摘要】
1.一种横向双扩散晶体管，包括：
衬底，具有第一掺杂类型；
沟道区，位于所述衬底中，具有第一掺杂类型；
漂移区，位于所述衬底中且围绕所述沟道区设置，具有第二掺杂类型；
位于所述衬底上的源极电极和漏极电极，所述源极电极位于所述沟道区中，所述漏极电极位于漂移区中；
位于所述衬底上的栅叠层，所述栅叠层位于所述源极电极和所述漏极电极之间，所述栅叠层包括在所述衬底上依次堆叠的栅氧化层和栅极电极，
其中，所述栅氧化层为阶梯氧化层，具有与所述源极电极相邻近的第一台阶和与所述漏极电极相邻近的第二台阶，且所述第一台阶的上表面高度低于所述第二台阶的上表面高度。


2.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管，其中，还包括：
位于所述衬底上的第一介质层，所述第一介质层位于所述栅氧化层与所述漏极电极之间，分别与所述栅氧化层和所述栅极电极连接。


3.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管，其中，所述栅极电极的下表面与所述栅氧化层的上表面共形，且至少一部分位于所述第一介质层的上表面。


4.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管，其中，还包括：
位于所述衬底上的场氧化层，通过所述沟道区与所述源极电极相连。


5.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管，其中，所述第一掺杂类型为P型，所述第二掺杂类型为N型；
或者，所述第一掺杂类型为N型，所述第二掺杂类型为P型。


6.一种横向双扩散晶体管的制造方法，其中，包括：
在具有第一掺杂类型的衬底中形成第二掺杂类型的漂...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩广涛，
申请(专利权)人：杰华特微电子杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33