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本发明涉及半导体技术领域，提供了一种横向双扩散晶体管及其制造方法，该横向双扩散晶体管包括：具有第一掺杂类型的衬底；位于衬底中且具有第一掺杂类型的沟道区；漂移区，位于衬底中且围绕沟道区设置，具有第二掺杂类型；位于衬底上的源极电极和漏极电极，且...
该专利属于杰华特微电子(杭州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杰华特微电子(杭州)有限公司授权不得商用。

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