碳化硅半导体装置制造方法及图纸

漂移层(10)以及源极区域(8)具有第1导电类型。基极区域(7)具有第2导电类型。第1沟槽(12)贯通源极区域(8)以及基极区域(7)。栅极电极(1)隔着栅极绝缘膜(2)设置于第1沟槽(12)内。第1缓和区域(3)配置于第1沟槽(12)的下方，具有第2导电类型。源极焊盘电极(4)与第1缓和区域(3)电连接。栅极焊盘电极(14)配置于非元件区域(RN)。杂质区域(108)配置于非元件区域(RN)，设置于漂移层(10)上，具有第1导电类型。第2沟槽(112)贯通杂质区域(108)。第2缓和区域(103)配置于第2沟槽(112)的下方，具有第2导电类型。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】碳化硅半导体装置
本专利技术涉及碳化硅半导体装置。
技术介绍
作为在逆变器电路等中使用的开关元件，广泛使用纵型的电力用半导体装置，特别是，广泛使用具有金属-氧化物-半导体(MetalOxideSemiconductor：MOS)构造的例子。典型地，使用绝缘栅极双极性晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor：IGBT)以及金属-氧化物-半导体场效应型晶体管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor：MOSFET)。例如，在国际公开第2010/098294号(专利文献1)中公开MOSFET，在日本特开2004-273647号公报(专利文献2)中公开IGBT。特别是，前者公开作为半导体材料使用碳化硅(SiC)的纵型n沟道MOSFET。另外，以进一步降低使用碳化硅的纵型n沟道MOSFET的导通电压为目的，在国际公开第2012/077617号(专利文献3)中公开沟槽栅极型的MOSFET。n沟道MOSFET具有n型漂移层和设置于其上的p型阱。在MOSFET从导通状态向截止状本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅半导体装置(701～714、701V)，在俯视时具有元件区域(RE)以及设置于所述元件区域(RE)的外侧的非元件区域(RN)，其中，所述碳化硅半导体装置具备：/n碳化硅半导体基板(11)，跨越所述元件区域(RE)及所述非元件区域(RN)；/n漂移层(10)，设置于所述碳化硅半导体基板(11)上，包括碳化硅，具有第1导电类型；/n基极区域(7)，配置于所述元件区域(RE)，设置于所述漂移层(10)上，具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型；/n源极区域(8)，配置于所述元件区域(RE)，设置于所述基极区域(7)上，具有所述第1导电类型；/n第1沟槽(12)，具有贯通所述源极区域(...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种碳化硅半导体装置(701～714、701V)，在俯视时具有元件区域(RE)以及设置于所述元件区域(RE)的外侧的非元件区域(RN)，其中，所述碳化硅半导体装置具备：
碳化硅半导体基板(11)，跨越所述元件区域(RE)及所述非元件区域(RN)；
漂移层(10)，设置于所述碳化硅半导体基板(11)上，包括碳化硅，具有第1导电类型；
基极区域(7)，配置于所述元件区域(RE)，设置于所述漂移层(10)上，具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型；
源极区域(8)，配置于所述元件区域(RE)，设置于所述基极区域(7)上，具有所述第1导电类型；
第1沟槽(12)，具有贯通所述源极区域(8)及所述基极区域(7)的侧面和底面；
栅极绝缘膜(2)，设置于所述第1沟槽(12)的所述侧面上及所述底面上；
栅极电极(1)，隔着所述栅极绝缘膜(2)设置于所述第1沟槽(12)内；
第1缓和区域(3)，配置于所述第1沟槽(12)的下方，与所述漂移层(10)相接，具有所述第2导电类型；
源极焊盘电极(4)，与所述源极区域(8)及所述第1缓和区域(3)电连接；
栅极焊盘电极(14)，配置于所述非元件区域(RN)，与所述栅极电极(1)电连接；
至少1个杂质区域(108)，至少配置于所述非元件区域(RN)，设置于所述漂移层(10)上，具有所述第1导电类型；
至少1个第2沟槽(112)，具有贯通所述杂质区域(108)的侧面和底面；以及
至少1个第2缓和区域(103)，配置于所述第2沟槽(112)的下方，与所述漂移层(10)相接，具有所述第2导电类型。


2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置(702、704、706、709、710)，其中，
所述碳化硅半导体装置(702、704、706、709、710)在俯视时在所述元件区域(RE)与所述非元件区域(RN)之间具有设置有第3沟槽(212)的接触区域(RC)，
所述碳化硅半导体装置(702、704、706、709、710)还具备第3缓和区域(203)，该第3缓和区域(203)配置于所述第3沟槽(212)的下方，与所述源极焊盘电极(4)以及所述第2缓和区域(103)各自电连接，具有所述第2导电类型。


3.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置(703、704、707、709、710、714)，其中，
所述碳化硅半导体装置(703、704、707、709、710、714)在俯视时在所述元件区域(RE)与所述非元件区域(RN)之间具有配置有所述杂质区域(108)的一部分的接触区域(RC)，在所述接触区域(RC)中所述杂质区域(108)和所述源极焊盘电极(4)直接连接。


4.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置(704、709、710)，其中，
所述碳化硅半导体装置(704、709、710)在...

【专利技术属性】
技术研发人员：富永贵亮，福井裕，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP