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碳化硅半导体装置制造方法及图纸
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文档序号:25718348
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漂移层(10)以及源极区域(8)具有第1导电类型。基极区域(7)具有第2导电类型。第1沟槽(12)贯通源极区域(8)以及基极区域(7)。栅极电极(1)隔着栅极绝缘膜(2)设置于第1沟槽(12)内。第1缓和区域(3)配置于第1沟槽(12)的下...
该专利属于三菱电机株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三菱电机株式会社授权不得商用。
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