下载碳化硅半导体装置的技术资料

文档序号:25718348

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漂移层(10)以及源极区域(8)具有第1导电类型。基极区域(7)具有第2导电类型。第1沟槽(12)贯通源极区域(8)以及基极区域(7)。栅极电极(1)隔着栅极绝缘膜(2)设置于第1沟槽(12)内。第1缓和区域(3)配置于第1沟槽(12)的下...
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