背封硅片的制作方法技术

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种背封硅片的制作方法。本申请通过至少在硅片的正面形成应力缓冲层；在应力缓冲层上形成刻蚀停止层；沉积HTO层，使得HTO层至少覆盖在硅片的背面；通过湿法刻蚀，去除位于硅片正面位置处，在刻蚀停止层上的HTO层，暴露刻蚀停止层，保留覆盖在硅片的背面的HTO层；依次去除位于硅片正面位置处的刻蚀停止层和应力缓冲层，能够避免对硅片正面造成损伤，起到保护硅片的作用。

【技术实现步骤摘要】
背封硅片的制作方法
本申请涉及半导体集成电路制造
，具体涉及一种背封硅片的制作方法。
技术介绍
硅片背封一般是在硅片背面沉积单层或者几层绝缘体薄膜，以防止硅片在后续高温工艺中衬底挥发掺杂物质，而这种掺杂物质的挥发不仅会引起硅片自掺杂效应，而且会污染机台，影响到其他硅片产品。随着半导体产业的发展，2020年我国12寸硅片月需求量在80-100万片，其中背封硅片更是价格上涨，相对于无背封的硅片，背封硅片价格多50美元以上，且供货紧缺，呈现“一片难求”的状况。在相关技术中自制背封硅片的方法主要是将背封材料包裹硅片，然后用试剂除去硅片正面背封材料，但是由于背封材料往往比较厚，为了保证硅片正面的背封材料去除干净，所采用的试剂浓度往往很高，且要求30％-50％左右的过腐蚀，湿法刻蚀试剂直接与硅片表面长时间接触会引起硅片正面的损伤，严重影响器件的性能。
技术实现思路
本申请提供了一种背封硅片的制作方法，可以解决相关技术中制作背封硅片会对硅片正面造成损伤的问题。本申请提供一种背封硅片的制作方法，所述背封硅片的制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背封硅片的制作方法，其特征在于，所述背封硅片的制作方法包括以下步骤：/n提供硅片；/n至少在所述硅片的正面形成应力缓冲层；/n在所述应力缓冲层上形成刻蚀停止层；/n沉积HTO层，使得所述HTO层至少覆盖在所述硅片的背面；/n通过湿法刻蚀，去除位于所述硅片正面位置处，在所述刻蚀停止层上的HTO层，暴露所述刻蚀停止层，保留覆盖在所述硅片的背面的HTO层；/n依次去除位于所述硅片正面位置处的所述刻蚀停止层和应力缓冲层。/n

【技术特征摘要】
1.一种背封硅片的制作方法，其特征在于，所述背封硅片的制作方法包括以下步骤：
提供硅片；
至少在所述硅片的正面形成应力缓冲层；
在所述应力缓冲层上形成刻蚀停止层；
沉积HTO层，使得所述HTO层至少覆盖在所述硅片的背面；
通过湿法刻蚀，去除位于所述硅片正面位置处，在所述刻蚀停止层上的HTO层，暴露所述刻蚀停止层，保留覆盖在所述硅片的背面的HTO层；
依次去除位于所述硅片正面位置处的所述刻蚀停止层和应力缓冲层。


2.如权利要求1所述的背封硅片的制作方法，其特征在于，所述至少在所述硅片的正面形成应力缓冲层的步骤包括：
通过炉管至少所述硅片的正面形成厚度范围为100A-200A的应力缓冲层。


3.如权利要求1所述的背封硅片的制作方法，其特征在于，所述至少在所述硅片的正面形成应力缓冲层的步骤包括：
通过化学气相淀积工艺，至少在所述硅片的正面淀积形成厚度范围为100A-500A的应力缓冲层。


4.如权利要求1至3中任一项权利要求所述的背封硅片的制作方法，其特征在于，所述应力缓冲层的材质为氧化硅。


5.如权利要求1所述的背封硅片的制作方法，其特征在于，所述在所述应力缓冲层上形成刻蚀停止层的步骤包括：
通过炉管和化学气相淀积工艺，在所述应力缓冲层上形成厚度为500A-2000A的刻蚀停止层。


6.如权利要求1或5...

【专利技术属性】
技术研发人员：张栋，郭振强，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32