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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种背封硅片的制作方法。本申请通过至少在硅片的正面形成应力缓冲层；在应力缓冲层上形成刻蚀停止层；沉积HTO层，使得HTO层至少覆盖在硅片的背面；通过湿法刻蚀，去除位于硅片正面位置处，在刻蚀停止层...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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