【技术实现步骤摘要】
一种大尺寸铁氧体基片及其抛光方法
本专利技术涉及微波
,尤其涉及一种大尺寸铁氧体基片及其抛光方法。
技术介绍
小尺寸铁氧体基片,也称“小型铁氧体基片”,一般是指直径为16mm~100mm圆形或其他任意多边形(多边形外接圆直径为16mm~100mm)。目前,对于这类小尺寸铁氧体基片的加工尤其是抛光方法为:采用粒径为3~6μm氧化铝抛光粉溶液或钻石溶液配合铸铁或聚氨酯进行一次加工,然后再使用粒径为1μm氧化铝、氧化铈配合阻尼布进行二次加工。上述的小尺寸铁氧体基片抛光方法,至少存在以下缺点:首先,小型铁氧体基片的光刻加工存在加工效率低的问题,光刻加工花费的时间主要受加工次数影响而不在于加工产品的尺寸。并且,在小型铁氧体基片的研磨加工和抛光加工过程中,摆放小型工件会消耗大量的人力和时间,同时由于工件小,一些工件会因为失误没有被夹具固定牢固,在研磨或抛光的时候工件离开夹具,从而导致其他工件产生划伤、裂纹,甚至将一整批工件全部破坏。然后,器件对小型铁氧体基片的物理性能,如硬度、抗拉强度等有较高要求。 ...
【技术保护点】
1.一种大尺寸铁氧体基片的抛光方法,其特征在于:包括以下步骤:/n(A)配置直径为的板状结晶氧化铝抛光液;/n(B)将步骤(A)得到的氧化铝抛光液配合压缩纤维抛光垫对待抛光铁氧体基片进行第一轮抛光,得到半成品;/n(C)配置球状结晶氧化铝抛光液;/n(D)用步骤(C)得到的氧化铝抛光液配合阻尼布抛光垫对步骤(B)得到的半成品进行第二轮抛光,得到表面粗糙度为10nm~20nm的产品。/n
【技术特征摘要】
1.一种大尺寸铁氧体基片的抛光方法,其特征在于:包括以下步骤:
(A)配置直径为的板状结晶氧化铝抛光液;
(B)将步骤(A)得到的氧化铝抛光液配合压缩纤维抛光垫对待抛光铁氧体基片进行第一轮抛光,得到半成品;
(C)配置球状结晶氧化铝抛光液;
(D)用步骤(C)得到的氧化铝抛光液配合阻尼布抛光垫对步骤(B)得到的半成品进行第二轮抛光,得到表面粗糙度为10nm~20nm的产品。
2.根据权利要求1所述的一种大尺寸铁氧体基片的抛光方法,其特征在于,步骤(A)中板状结晶氧化铝的直径为1μm~3μm。
3.根据权利要求1所述的一种大尺寸铁氧体基片的抛光方法,其特征在于,步骤(B)中,所述压缩纤维抛光垫的肖氏硬度为57~75。
4....
【专利技术属性】
技术研发人员:孔伟,任仕晶,鲜聪,廖杨,陈建杰,袁红兰,冯涛,王谦,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第九研究所,
类型:发明
国别省市:四川;51
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