一种TE-cooler IGBT结构及器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种TE‑cooler IGBT结构及器件，其中，TE‑cooler IGBT结构，包括N型衬底、TE‑cooler P/N、P阱、栅极氧化层、场氧化层、层间介质、金属层、第一钝化层、场中止层、P+结构层、集电极和第二钝化层。本实用新型专利技术提供的TE‑cooler IGBT结构，通过在IGBT中增加TE‑cooler的结构从而极大加强IGBT导热散热效果，并且，制冷量可通过增加TE‑cooler器件对数或减少电阻或调整电流等方式进行调节，使用更加方便。

【技术实现步骤摘要】
一种TE-coolerIGBT结构及器件
本技术涉及功率器领域，特别涉及一种TE-coolerIGBT结构及器件。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(以下简称IGBT)是由双极结型晶体三极管(以下简称BJT)和绝缘栅型场效应k管(以下简称MOS)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,兼有金属-氧化物半导体场效应晶体管(以下简称MOSFET)的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方面的优点。在交流电机、逆变器、照明电路、牵引传动等DC600V及以上的变流系统中得到广泛应用。但是IGBT器件热流密度越来越大，若没有良好的散热措施，则IGBT器件的温度可能达到或超过器件结温，从而导致器件性能的恶化以致损坏。为解决IGBT器件的散热问题，公开号为CN109817591A，公开日为20190528的中国专利申请中公开了一种高功率密度IGBT模块的双面水冷散热结构及加工工艺，其结构包括IGBT子单元、二极管子单元、覆铜陶瓷基板、缓冲垫片、焊料层、导热硅脂层、石墨烯散热层以及上下水冷板散热器。通过石墨烯散热层将转移至指定位置的芯片表面作为快速横向散热本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TE-cooler IGBT结构，其特征在于：包括N型衬底（10）；所述N型衬底（10）一侧设有若干交替的P+区和N+区形成的TE-cooler P/N结构；/n所述N型衬底（10）的正面设有若干P阱（30）；所述P阱（30）内设有发射极（31）；所述P阱（30）上设有栅极氧化层（40）；所述栅极氧化层（40）一侧设有延伸至TE-cooler P/N结构正面的场氧化层（50）；栅极氧化层（40）和场氧化层（50）上设有层间介质（60）、金属层（70）和第一钝化层（80）；/n所述N型衬底（10）的背面设有场中止层（90）、P+结构层（100）、集电极（110）；所述集电极（110）和T...

【技术特征摘要】
1.一种TE-coolerIGBT结构，其特征在于：包括N型衬底（10）；所述N型衬底（10）一侧设有若干交替的P+区和N+区形成的TE-coolerP/N结构；
所述N型衬底（10）的正面设有若干P阱（30）；所述P阱（30）内设有发射极（31）；所述P阱（30）上设有栅极氧化层（40）；所述栅极氧化层（40）一侧设有延伸至TE-coolerP/N结构正面的场氧化层（50）；栅极氧化层（40）和场氧化层（50）上设有层间介质（60）、金属层（70）和第一钝化层（80）；
所述N型衬底（10）的背面设有场中止层（90）、P+结构层（100）、集电极（110）；所述集电极（110）和TE-coolerP/N结构背面均设有第二钝化层（120）。


2.根据权利要求1所述的TE-coolerIGBT结构，其特征在于：所述层间介质（60）的厚度为0.4-0.6μm。


3.根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐守一，陈广乐，蔡铭进，
申请(专利权)人：厦门芯达茂微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35