晶闸管制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种晶闸管，该晶闸管包括：N型衬底，N型衬底具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；在背离第二表面的方向上，第一表面侧依次设置有P型第一掺杂区以及P型第二掺杂区，P型第二掺杂区的掺杂浓度大于P型第一掺杂区的掺杂浓度；在背离第一表面的方向上，第二表面侧依次设置有P型第三掺杂区以及P型第四掺杂区，P型第四掺杂区的掺杂浓度大于P型第三掺杂区的掺杂浓度。本实用新型专利技术实施例提供的技术方案提高了晶闸管的正向耐压和反向耐压。

【技术实现步骤摘要】
晶闸管
本技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种晶闸管。
技术介绍
晶闸管是一种用于大容量电力电子装置中的电力半导体器件，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。现有技术中的晶闸管的耐压数值约是600V-1000V，目前亟需一种具有更高耐压性能的晶闸管。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供了一种晶闸管，解决了现有技术中的晶闸管耐压数值不高的技术问题。本技术实施例提供了一种晶闸管，包括：N型衬底，所述N型衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；在背离所述第二表面的方向上，所述第一表面侧依次设置有P型第一掺杂区以及P型第二掺杂区，所述P型第二掺杂区的掺杂浓度大于所述P型第一掺杂区的掺杂浓度；在背离所述第一表面的方向上，所述第二表面侧依次设置有P型第三掺杂区以及P型第四掺杂区，所述P型第四掺杂区的掺杂浓度大于所述P型第三掺杂区的掺杂浓度。可选地，所述P型第四掺杂区的掺杂浓度等于所述P型第二掺杂区的掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶闸管，其特征在于，包括：/nN型衬底，所述N型衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；/n在背离所述第二表面的方向上，所述第一表面侧依次设置有P型第一掺杂区以及P型第二掺杂区，所述P型第二掺杂区的掺杂浓度大于所述P型第一掺杂区的掺杂浓度；/n在背离所述第一表面的方向上，所述第二表面侧依次设置有P型第三掺杂区以及P型第四掺杂区，所述P型第四掺杂区的掺杂浓度大于所述P型第三掺杂区的掺杂浓度。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶闸管，其特征在于，包括：
N型衬底，所述N型衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；
在背离所述第二表面的方向上，所述第一表面侧依次设置有P型第一掺杂区以及P型第二掺杂区，所述P型第二掺杂区的掺杂浓度大于所述P型第一掺杂区的掺杂浓度；
在背离所述第一表面的方向上，所述第二表面侧依次设置有P型第三掺杂区以及P型第四掺杂区，所述P型第四掺杂区的掺杂浓度大于所述P型第三掺杂区的掺杂浓度。


2.根据权利要求1所述的晶闸管，其特征在于，所述P型第四掺杂区的掺杂浓度等于所述P型第二掺杂区的掺杂浓度；和/或，
所述P型第三掺杂区的掺杂浓度等于所述P型第一掺杂区的掺杂浓度。


3.根据权利要求1所述的晶闸管，其特征在于，在背离所述第二表面的方向上，所述P型第二掺杂区之上间隔设置有阴极和栅极；和/或，
在背离所述第一表面的方向上，所述P型第四掺杂区之上设置有阳极。


4.根据权利要求3所述的晶闸管，其特征在于，还包括N型第一掺杂区，位于所述P型第二掺杂区与所述阴极之间。


5.根据权利要求3所述的晶闸管，其特征在于，还包括N型第二掺杂区，位于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：周继峰，何磊，张环，
申请(专利权)人：力特半导体无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32