一种大功率GTO晶闸管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种大功率GTO晶闸管，包括PNPN四层三极的晶闸管芯片，所述晶闸管芯片的底部设有阳极发射区，所述晶闸管芯片的顶部设有阴极发射区和门极，所述阴极发射区包括用深扩散法得到的阴极发射区A区、在开通期和导通期用浅扩散法得到的阴极发射区B区，所述阴极发射区A区与阴极发射区B区交替排布。本实用新型专利技术的有益效果是：因此，该大功率GTO晶闸管，能使最大的可关断阳极电流增大80%，能大幅减少关断失败的机会，避免了生产中关断失败带来较大的经济损失。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率GTO晶闸管
本技术涉及晶闸管领域，尤其涉及一种大功率GTO晶闸管。
技术介绍
普通大功率GTO晶闸管关断时，迅速下降的阳极电流是与快速上升的阳极电压相伴随的。如果该dv/dt太大，就会引起大功率GTO晶闸管的重新触发，或者它与拖尾电流结合起来产生很大的功耗，可能损坏器件，在生产中会导致较大的经济损失。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术存在的以上问题，提供一种大功率GTO晶闸管。为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本技术通过以下技术方案实现：一种大功率GTO晶闸管，包括PNPN四层三极的晶闸管芯片，所述晶闸管芯片的底部设有阳极发射区，所述晶闸管芯片的顶部设有阴极发射区和门极，所述阴极发射区包括用深扩散法得到的阴极发射区A区、在开通期和导通期用浅扩散法得到的阴极发射区B区，所述阴极发射区A区与阴极发射区B区交替排布。进一步的，所述阴极发射区B区的宽度为阴极发射区A区的宽度的50%~80%。进一步的，所述阴极发射区B区的宽度为阴极发射区A区的宽度的70%。r>进一步的，所述阴本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大功率GTO晶闸管，包括PNPN四层三极的晶闸管芯片，其特征在于：所述晶闸管芯片的底部设有阳极发射区，所述晶闸管芯片的顶部设有阴极发射区和门极，所述阴极发射区包括用深扩散法得到的阴极发射区A区、在开通期和导通期用浅扩散法得到的阴极发射区B区，所述阴极发射区A区与阴极发射区B区交替排布。/n

【技术特征摘要】
1.一种大功率GTO晶闸管，包括PNPN四层三极的晶闸管芯片，其特征在于：所述晶闸管芯片的底部设有阳极发射区，所述晶闸管芯片的顶部设有阴极发射区和门极，所述阴极发射区包括用深扩散法得到的阴极发射区A区、在开通期和导通期用浅扩散法得到的阴极发射区B区，所述阴极发射区A区与阴极发射区B区交替排布。


2.根据权利要求1所述的大功率GTO晶闸管，其特征在于：所述阴极发射区B区的宽度为阴极发射区A区的宽度的50%~80%。


3.根据权利要求2所述的大功率GTO晶闸管，其特征在于：所述阴极发射区B区的宽度为阴极发射...

【专利技术属性】
技术研发人员：王连来，
申请(专利权)人：广州市晶泰电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44