一种有隐埋门极的大功率GTO晶闸管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种有隐埋门极的大功率GTO晶闸管，所述大功率GTO晶闸管从下往上依次包括阳极、第一P型半导体层、第一N型半导体层、第二P型半导体层、第二N型半导体层、阴极，所述第二P型半导体层中设有多个间隔相同的隐埋门极和门栅极。本实用新型专利技术的有益效果是：隐埋门极的设置减少导通面积的损失、减小热阻，使大功率GTO晶闸管关断时间短、开通特性好。开通特性好包括允许的通态电流上升率较高，通态电压上升率较高，并能增大大功率GTO晶闸管发射结的击穿电压；这个增大的击穿电压为门极的驱动设计简单化提供了条件，这样可以使门极驱动单元的生产成本降低，重量减轻，体积变小以及提高稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种有隐埋门极的大功率GTO晶闸管
本技术涉及晶闸管领域，尤其涉及一种有隐埋门极的大功率GTO晶闸管。
技术介绍
普通大功率GTO晶闸管的一个缺点是由于阴极细分成大量单元而造成器件导通面积的损失和热阻的增大，使得大功率GTO晶闸管的的关断时间长、开通特性差。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术存在的以上问题，提供一种有隐埋门极的大功率GTO晶闸管。为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本技术通过以下技术方案实现：一种有隐埋门极的大功率GTO晶闸管，所述大功率GTO晶闸管从下往上依次包括阳极、第一P型半导体层、第一N型半导体层、第二P型半导体层、第二N型半导体层、阴极，所述第二P型半导体层中设有多个间隔相同的隐埋门极和门栅极。进一步的，所述隐埋门极的横截面为圆形。进一步的，所述隐埋门极的直径为第二P型半导体层的厚度的60%~80%。进一步的，所述隐埋门极的直径为第二P型半导体层的厚度的70%。进一步的，相邻两个所述隐埋门极之间的间隔距离大于所述隐埋门极的直径。进一步的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有隐埋门极的大功率GTO晶闸管，其特征在于：所述大功率GTO晶闸管从下往上依次包括阳极、第一P型半导体层、第一N型半导体层、第二P型半导体层、第二N型半导体层、阴极，所述第二P型半导体层中设有多个间隔相同的隐埋门极和门栅极。/n

【技术特征摘要】
1.一种有隐埋门极的大功率GTO晶闸管，其特征在于：所述大功率GTO晶闸管从下往上依次包括阳极、第一P型半导体层、第一N型半导体层、第二P型半导体层、第二N型半导体层、阴极，所述第二P型半导体层中设有多个间隔相同的隐埋门极和门栅极。


2.根据权利要求1所述的有隐埋门极的大功率GTO晶闸管，其特征在于：所述隐埋门极的横截面为圆形。


3.根据权利要求2所述的有隐埋门极的大功率GTO晶闸管，其特征在于：所述隐埋门极的直径为第二P型半导体层的厚度的60%~80%。


4.根据权利要求3所述的有隐埋门极的大功率GTO晶闸管，其特征在于：所述隐埋门极的直径为第二P型半导体层的厚度的70%。


5.根据权利要求1所述的有隐埋门极的大功率GTO晶闸管，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：王连来，
申请(专利权)人：广州市晶泰电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44