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本实用新型涉及一种有隐埋门极的大功率GTO晶闸管，所述大功率GTO晶闸管从下往上依次包括阳极、第一P型半导体层、第一N型半导体层、第二P型半导体层、第二N型半导体层、阴极，所述第二P型半导体层中设有多个间隔相同的隐埋门极和门栅极。本实用新型...
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