晶闸管制造技术

公开了一种晶闸管，该晶闸管包括N型衬底，所述N型衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；P型掺杂层，所述P型掺杂层形成于所述N型衬底的所述第一表面和/或第二表面上；沟槽，所述沟槽从所述P型掺杂层的远离所述N型衬底的表面贯穿所述P型掺杂层并延伸到所述衬底内；以及玻璃钝化保护层，所述玻璃钝化保护层形成在所述沟槽内；其中，所述P型掺杂层、所述N型衬底和所述玻璃钝化保护层之间形成有薄氧层，所述薄氧层和所述玻璃钝化保护层之间形成有半绝缘多晶硅层。

Thyristor

【技术实现步骤摘要】
晶闸管
本公开涉及半导体
，特别是涉及一种晶闸管。
技术介绍
晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器；晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。然而，现有的例如结温为125℃的双台面晶闸管系列通常采用玻璃作为钝化保护层，以确保合适的电压阻断能力和长期的可靠性，然而，当在150℃时，玻璃形成的钝化保护层将大大增加高温泄露，这容易导致漂移和可靠性问题。
技术实现思路
本公开的一个目的旨在解决现有技术中存在的上述问题和缺陷的至少一个方面。根据本公开的一个方面的实施例，提供了一种晶闸管，包括N型衬底，所述N型衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；P型掺杂层，所述P型掺杂层形成于所述N型衬底的所述第一表面和/或第二表面上；沟槽，所述沟槽从所述P型掺杂层的远离所述N型衬底的表面贯穿所述P型掺杂层并延伸到所述衬底内；以及玻璃钝化保护层，所述玻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶闸管，其特征在于，所述晶闸管包括/nN型衬底，所述N型衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；/nP型掺杂层，所述P型掺杂层形成于所述N型衬底的所述第一表面和/或第二表面上；/n沟槽，所述沟槽从所述P型掺杂层的远离所述N型衬底的表面贯穿所述P型掺杂层并延伸到所述衬底内；以及/n玻璃钝化保护层，所述玻璃钝化保护层形成在所述沟槽内；/n其中，所述P型掺杂层、所述N型衬底和所述玻璃钝化保护层之间形成有薄氧层，所述薄氧层和所述玻璃钝化保护层之间形成有半绝缘多晶硅层。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶闸管，其特征在于，所述晶闸管包括
N型衬底，所述N型衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；
P型掺杂层，所述P型掺杂层形成于所述N型衬底的所述第一表面和/或第二表面上；
沟槽，所述沟槽从所述P型掺杂层的远离所述N型衬底的表面贯穿所述P型掺杂层并延伸到所述衬底内；以及
玻璃钝化保护层，所述玻璃钝化保护层形成在所述沟槽内；
其中，所述P型掺杂层、所述N型衬底和所述玻璃钝化保护层之间形成有薄氧层，所述薄氧层和所述玻璃钝化保护层之间形成有半绝缘多晶硅层。


2.根据权利要求1所述的晶闸管，其特征在于，所述半绝缘多晶硅层的厚度为至


3.根据权利要求2所述的晶闸管，其特征在于，所述薄氧层的厚度小于


4.根据权利要求3所述的晶闸管，其特征在于，所述薄氧层和所述半绝缘多...

【专利技术属性】
技术研发人员：张环，朱迺茜，周继峰，
申请(专利权)人：力特半导体无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32