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公开了一种晶闸管,该晶闸管包括N型衬底,所述N型衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面;P型掺杂层,所述P型掺杂层形成于所述N型衬底的所述第一表面和/或第二表面上;沟槽,所述沟槽从所述P型掺杂层的远离所述N型衬底的表面贯穿所述P型掺...该专利属于力特半导体(无锡)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过力特半导体(无锡)有限公司授权不得商用。
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公开了一种晶闸管,该晶闸管包括N型衬底,所述N型衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面;P型掺杂层,所述P型掺杂层形成于所述N型衬底的所述第一表面和/或第二表面上;沟槽,所述沟槽从所述P型掺杂层的远离所述N型衬底的表面贯穿所述P型掺...