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本实用新型涉及一种大功率GTO晶闸管，包括PNPN四层三极的晶闸管芯片，所述晶闸管芯片的底部设有阳极发射区，所述晶闸管芯片的顶部设有阴极发射区和门极，所述阴极发射区包括用深扩散法得到的阴极发射区A区、在开通期和导通期用浅扩散法得到的阴极发射...
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