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本实用新型提供一种TE‑cooler IGBT结构及器件，其中，TE‑cooler IGBT结构，包括N型衬底、TE‑cooler P/N、P阱、栅极氧化层、场氧化层、层间介质、金属层、第一钝化层、场中止层、P+结构层、集电极和第二钝化层。...
该专利属于厦门芯达茂微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门芯达茂微电子有限公司授权不得商用。

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