一种薄膜晶体管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种薄膜晶体管，包括基板、栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极，其中，所述薄膜晶体管中的有源层采用稳定性较好且Hall迁移率高的Nb‑In‑O材料制成的Nb‑In‑O薄膜，使得到的薄膜晶体管具有高稳定性和高Hall迁移率(>30cm

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管
本技术涉及半导体
，具体涉及一种薄膜晶体管。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)主要应用于控制和驱动液晶显示器(LCD，LiquidCrystalDisplay)、有机发光二极管(OLED，OrganicLight-EmittingDiode)显示器的子像素，是平板显示领域中最重要的电子器件之一。新型AMOLED显示技术由于具有高画质、低功耗、轻薄、可柔性化等优点成为当前该领域的新宠。随着技术的进步和人们生活水平的不断提高，平板显示正朝着超高分辨率(8K×4K)方向发展，因此，对作为背板的薄膜晶体管技术提出了更高的要求。薄膜晶体管背板技术作为平板显示的核心技术，传统地，只需要器件Hall迁移率在10cm2V-1s-1左右，即可满足OLED像素的发光驱动需求。然而，随着超高分辨率显示技术的发展，需要薄膜晶体管的器件Hall迁移率达到30cm2V-1s-1及以上才能满足驱动需求；而当前主流的商用化的基于InGaZnO(IGZO)材料体系的薄膜晶体管Hall迁移率约10cm2V-1s-1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，包括基板、栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极，其特征在于，所述有源层为采用具有高稳定性和Hall迁移率的材料制得的薄膜，所述薄膜晶体管的截面包括底栅顶接触结构、底栅底接触结构、顶栅底接触结构和顶栅顶接触结构；/n所述底栅顶接触结构的底部为基板，所述基板的上方设有栅极和绝缘层，且所述绝缘层覆盖栅极，所述绝缘层上设有有源层，所述有源层的上方设有分别与有源层的两端相连的源极和漏极；/n所述底栅底接触结构的底部为基板，所述基板的上方设有栅极和绝缘层，且所述绝缘层覆盖栅极，所述绝缘层上设有有源层，所述绝缘层的上方还分别设有与绝缘层两端相连的源极和漏极，且有源层覆盖源极和漏极；/n所述顶...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括基板、栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极，其特征在于，所述有源层为采用具有高稳定性和Hall迁移率的材料制得的薄膜，所述薄膜晶体管的截面包括底栅顶接触结构、底栅底接触结构、顶栅底接触结构和顶栅顶接触结构；
所述底栅顶接触结构的底部为基板，所述基板的上方设有栅极和绝缘层，且所述绝缘层覆盖栅极，所述绝缘层上设有有源层，所述有源层的上方设有分别与有源层的两端相连的源极和漏极；
所述底栅底接触结构的底部为基板，所述基板的上方设有栅极和绝缘层，且所述绝缘层覆盖栅极，所述绝缘层上设有有源层，所述绝缘层的上方还分别设有与绝缘层两端相连的源极和漏极，且有源层覆盖源极和漏极；
所述顶栅底接触结构的底部为基板，所述基板的上方设有有源层，所述基板的上方还设有与基板两端相连的源极和漏极，且有源层覆盖源极和漏极，所述有源层的上方设有绝缘层，绝缘层上方设有栅极；
所述顶栅顶接触结构的底部为基板，所述基板的上方设有有源层，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖鹏，黄俊华，袁健，刘佰全，罗东向，
申请(专利权)人：佛山科学技术学院，
类型：新型
国别省市：广东;44