使用增材制造的互锁用嵌入式特征制造技术

本公开阐述一种用于判断半导体制造系统中的组件是否被授权在此系统中使用的方法及装置。通过在组件中嵌入识别特征，控制器可判断此组件是否有资格在系统中使用。在检测到未授权的组件时，系统可向用户报警、或者在某些实施例中，停止操作系统。这种识别特征利用增材制造工艺嵌入到组件中，所述增材制造工艺允许识别特征嵌入到组件中而不使识别特征经受极端温度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用增材制造的互锁用嵌入式特征
本公开处于增材制造的
中，且更具体来说，处于制造具有互锁以及嵌入式识别特征(identificationfeature)的组件的
中。
技术介绍
半导体器件是使用复杂的半导体处理系统制造的，所述复杂的半导体处理系统包括多个不同的组件。半导体良率及性能依赖于这些组件的相互作用及合作。举例来说，如果一个组件低于目标规格，则所得半导体器件可能会受到不利影响。因此，设备制造商试图提供高品质组件来用于这些复杂的半导体处理系统。设备制造商接着基于每一组件的规格来规定整体系统性能。这些复杂的半导体系统中使用的组件中的一些组件可能会因使用或磨损(wearout)而损耗(wearout)。常常，可从第三方供应商获得替换部件。不幸的是，这些第三方组件中的一些组件可能未被制作成与原始组件相同的规格。因此，由于这些劣质的第三方组件，性能、效率或良率可能会劣化。不幸的是，在大多数半导体处理系统中，不能判断系统是否只包含符合期望规格的组件。因此，在替换组件之后，系统可能不再以其规定的水平实行。因此，可能要求原始制造商启动产品支持工作来解决这些感知到的品质或性能问题。如果存在一种判断在半导体制造系统中使用的组件是否有资格在此系统上使用的方法，则将为有益的。此外，如果利用嵌入在组件中的一些识别特征来实行这种方法，则将为有利的。
技术实现思路
本公开阐述一种用于判断半导体制造系统中的组件是否被授权在此系统中使用的方法及装置。通过在组件中嵌入识别特征，控制器可判断此组件是否有资格在系统中使用。在检测到未授权的组件时，系统可向用户报警、更改系统的操作，或者在某些实施例中，停止操作系统。这种识别特征利用增材制造工艺嵌入到组件中，所述增材制造工艺允许识别特征嵌入到组件中而不使识别特征经受极端温度。根据一个实施例，公开一种离子植入系统。所述离子植入系统包括：控制器，与接收器进行通信；以及组件，具有空腔以及设置在所述空腔中的识别特征；其中所述控制器输出信号，所述信号在被传送到所述接收器之前被所述识别特征接收到并被所述识别特征修改。在某些实施例中，所述信号包括光信号，且所述识别特征对所述信号的频率、相位或幅值进行修改。在某些实施例中，所述信号包括模拟信号(analogsignal)，且所述识别特征对所述信号的频率、相位或幅值进行修改。在某些实施例中，所述信号包括数字信号(digitalsignal)，且所述识别特征对所述信号的频率、工作循环或相位进行修改。在某些实施例中，所述信号包括数字信号，且所述识别特征通过对所述信号附加唯一识别符来修改所述信号。根据另一个实施例，公开一种离子植入系统。所述离子植入系统包括：控制器，与接收器进行通信；以及组件，具有空腔以及设置在所述空腔中的识别特征；其中所述控制器输出信号，所述信号在被传送到所述接收器之前被所述识别特征接收到且被所述识别特征修改；且其中所述控制器分析由所述接收器接收到的所述信号以确定所述组件的特性。在某些实施例中，所述离子植入系统包括第二组件，所述第二组件具有空腔以及第二识别特征，其中从所述识别特征输出的所述信号在被所述接收器接收到之前被所述第二识别特征接收到且被所述第二识别特征修改。在某些实施例中，所述特性包括所述组件是否被授权在所述离子植入系统上运行。在一些实施例中，所述控制器基于所述特性来实行动作。所述动作可包括修改所述离子植入系统的至少一个操作参数。所述动作可包括启动对操作员的报警。根据另一个实施例，公开一种离子植入系统。所述离子植入系统包括至少一个组件，所述至少一个组件包括空腔以及识别特征；其中所述空腔包括位于所述空腔的内部与所述组件的外部之间的至少一个通路，且其中所述识别特征设置在所述空腔中且所述空腔的顶部被金属条密封。在某些实施例中，所述识别特征在至少一个维度上大于所述通路。在某些实施例中，所述离子植入系统包括第二组件，所述第二组件具有第二识别特征，其中所述识别特征与所述第二识别特征进行通信。在某些实施例中，所述识别特征包括幅值改变元件、频率改变元件或相位改变元件。在一些实施例中，所述空腔的所述顶部利用超声波增材制造进行密封。附图说明参考附图来更好地理解本公开，在附图中相同的元件以相同的编号引用，且其中：图1A到图1C示出根据一个实施例的具有嵌入式识别特征的组件的制作。图2A到图2C示出根据第二实施例的具有嵌入式识别特征的组件的制作。图3示出使用图1C所示组件的认证机制的第一实施例。图4示出使用图1C所示组件的认证机制的第二实施例。图5示出使用图1C所示组件的认证机制的第三实施例。图6示出用于半导体制造系统的代表性控制系统。图7示出根据一个实施例的有多个组件具有识别特征的系统。图8示出根据第二实施例的有多个组件具有识别特征的系统。图9示出利用具有嵌入式识别特征的组件的离子植入系统。具体实施方式如上所述，半导体制造系统可由多个组件构成。在这些组件中的任何或所有组件中可嵌入有识别特征，以允许系统对组件进行识别。识别特征可为可用于识别组件的任何元件。在某些实施例中，组件可为环形环，例如垫圈(gasket)、凸缘(flange)或其他相似的组件。在其他实施例中，组件可为矩形形状。当然，组件也可为任何其他形状。图1A到图1C示出用于将识别特征嵌入组件中的顺序。图1A示出塑形为环形环或中空圆柱体的组件100。首先，如图1A所示，空腔110可删减地引入到组件100的侧壁中。此空腔110在一些实施例中可呈通道形式。此空腔110可通过研磨、蚀刻或任何其他合适的工艺制成。此外，空腔110可为任何期望的宽度及深度。在其他实施例中，组件100可能已利用增材制造形成。在此实施例中，空腔110可随着组件100的生长而形成。在又一些实施例中，组件100可利用铸件或模具形成。在此实施例中，空腔110可在铸造或模制工艺期间形成。在所有实施例中，形成具有空腔110的组件100。在形成具有空腔110的组件100之后，可在空腔110中插入识别特征120，例如光纤缆线。尽管图中示出光纤缆线，然而应理解，也可插入任何其他类型的识别特征。识别特征可为印刷电路板、电路、一个或多个光发射器、一个或多个传感器、电导管或这些元件的任何组合。在已将识别特征120插入到空腔110之后，空腔110的顶部被密封。此可利用增材制造技术来完成。在一个实施例中，组件100可由金属制成，且可采用超声波增材制造工艺。在此工艺中，在空腔110之上设置金属层，所述金属层可为金属条130。在一些实施例中，金属条130可比空腔110的宽度宽。利用包括一个或多个朝喇叭发射超声波的换能器的装置来将金属条130沉积在组件100上。金属条130与喇叭接触，且因此经受超声波以及所施加的压力。这些超声波用于在不使用热量的情况下将金属条130焊接到组件100。在一些实施例中，将多个金属条130焊接到组件100。因此，即使对热极端敏感的识别特征也可嵌入到空腔110中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子植入系统，包括：/n控制器，与接收器进行通信；以及/n组件，具有空腔以及设置在所述空腔中的识别特征；/n其中所述控制器输出信号，所述信号在被传送到所述接收器之前被所述识别特征接收到并被所述识别特征修改。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180212 US 15/894,4361.一种离子植入系统，包括：
控制器，与接收器进行通信；以及
组件，具有空腔以及设置在所述空腔中的识别特征；
其中所述控制器输出信号，所述信号在被传送到所述接收器之前被所述识别特征接收到并被所述识别特征修改。


2.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述信号包括光信号或模拟信号，且所述识别特征对所述信号的频率、相位或幅值进行修改。


3.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述信号包括数字信号，且所述识别特征对所述信号的频率、工作循环或相位进行修改。


4.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述信号包括数字信号，且所述识别特征通过对所述信号附加唯一识别符来修改所述信号。


5.一种离子植入系统，包括：
控制器，与接收器进行通信；以及
组件，具有空腔以及设置在所述空腔中的识别特征；
其中所述控制器输出信号，所述信号在被传送到所述接收器之前被所述识别特征接收到且被所述识别特征修改；且其中所述控制器分析由所述接收器接收到的所述信号以确定所述组件的特性。


6.根据权利要求5所述的离子植入系统，还包括第二组件，所述第二组件具有空腔以及第二识别特征，其中从所述识别特征输出的所述信号在被所述接收...

【专利技术属性】
技术研发人员：奎格·R·钱尼，亚当·M·麦劳克林，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：美国;US