弯曲的后扫描电极的离子植入机系统设备技术方案

一种弯曲的后扫描电极的离子植入机系统设备，包括：后扫描电极，以扇形束包络的形式接收及传输经扫描束，其中所述经扫描束界定视在扫描原点，其中所述后扫描电极的至少一部分具有弯曲形状以实质上维持所述视在扫描原点的位置。通过使用具有与扇形束包络线传播方向垂直的形状(例如，弯曲形状)的后扫描电极，可有利地避免视在扫描原点相比于扫描原点的折射移位。使用具有弯曲形状或弧形状的后扫描电极使得能够在扫描板以及后扫描电极上使用与传统扫描系统中使用的电压相比显著更高的电压。

【技术实现步骤摘要】
弯曲的后扫描电极的离子植入机系统设备本专利技术是2017年8月28日所提出的申请号201780064062.0、专利技术名称《弯曲的后扫描电极的离子植入机系统设备及离子植入方法》的专利技术专利申案的分案申请。
本专利技术涉及离子植入，且更具体来说，涉及一种具有弯曲的后扫描抑制电极的离子植入机系统设备及离子植入方法。
技术介绍
离子植入是一种用于向半导体晶片引入导电性的标准技术。可在离子源中将所期望的杂质材料离子化，可将离子加速以形成规定能量的离子束，且离子束可射向晶片的前表面。束中的能量离子渗透到半导体材料的主体中且嵌入到半导体材料的晶格(crystallinelattice)中以形成具有所期望导电性的区。离子植入机可包括用于以扫描频率在至少一个方向上使离子束偏向或扫描离子束的扫描仪以将离子束分布在晶片的前表面中。扫描仪可为所属领域中所知的静电扫描仪或磁性扫描仪。离子束可仅通过束扫描或者通过束扫描与晶片移动的组合而被分布在晶片区域中。在一个离子植入机中，扫描仪可在一个方向上扫描束且驱动系统可在与扫描方向正交的方向上翻转晶片以将离子束分布在晶片的前表面中。传统扫描仪可包括以扫描板的形式位于由离子束产生器提供的离子束的相对两侧上的扫描电极。后扫描电极可位于扫描板的下游，且前扫描抑制电极可位于扫描板的上游。用语“上游”及“下游”是以离子束传输的方向为参考。因此，后扫描电极位于扫描仪的扫描板与角度校正器(anglecorrector)之间，且前扫描抑制电极位于扫描板与离子束产生器之间。扫描板在一个维度(dimension)上扫描离子束以提供扇形束包络线，所述扇形束包络线的位于偏向区及后扫描抑制区(postscansuppression)下游的轨迹实质上为直线。这些直线可向后延伸且在某一点处相交。所述点被称为实际扫描原点。经扫描板处理的离子束被后扫描电极接收。传统扫描仪使用扁平后扫描电极(flatpostscanelectrode)。扁平后扫描电极会造成视在扫描原点(apparentscanorigin)的不期望的移位。视在扫描原点应与实际扫描原点相同或实质上相同。视在扫描原点相比于实际扫描原点的不期望的下游移位是由与扁平后扫描电极相关联的束折射造成。视在扫描原点移位使实现束平行性需要更高的准直器视野(collimatorfield)。更高的准直器视野会造成束角度的不期望的改变，此会使放射量测定准确度(dosimetryaccuracy)及其他工艺参数折衷。因此，需要一种不会使由扫描板提供的扇形束包络线的扫描原点移位的离子植入机。
技术实现思路
提供此
技术实现思路
是为了以简化形式介绍以下在具体实施方式中进一步阐述的一系列概念。此
技术实现思路
并非旨在识别所主张主题的关键特征或本质特征，本
技术实现思路
也不旨在帮助确定所主张主题的范围。在一个实施例中，提供一种设备包括用于提供离子束的离子束产生器；可接收所述离子束并提供经扫描束的扫描系统；以及可接收所述经扫描束的电极。所述电极的至少一部分垂直于所述经扫描束的传播方向。在一个实施例中，所述电极的垂直于所述经扫描束的所述传播方向的所述至少一部分具有弯曲形状。在另一个实施例中，提供一种包括用于提供离子束的离子束产生器的设备。扫描系统可接收所述离子束并提供经扫描束。电极可接收所述经扫描束。所述电极的至少一部分具有弯曲形状。在再一个实施例中，提供一种产生离子束的方法。所述方法可进一步包括：接收所述离子束且从所述离子束提供经扫描束；以及由电极接收所述经扫描束，所述电极的至少一部分垂直于所述经扫描束的传播方向。在另一个实施例中，一种设备可包括用于提供离子束的离子束产生器。另外，所述设备可包括用于接收所述离子束的扫描系统，所述扫描系统包括位于所述离子束的相对两侧上的第一扫描板与第二扫描板，所述第一扫描板及所述第二扫描板用于从所述离子束产生经扫描束，所述经扫描束具有扫描原点及视在扫描原点。电极可接收所述经扫描束，所述电极的至少一部分具有弯曲形状以实质上维持所述视在扫描原点的位置。在一个实施例中，在所述第一扫描板及所述第二扫描板的上游可设置有减速透镜。在另一个实施例中，一种方法可包括产生离子束及接收所述离子束以及从所述离子束提供经扫描束，所述经扫描束具有扫描原点及视在扫描原点。所述方法可进一步包括由弯曲的电极接收所述经扫描束，当所述经扫描束穿过所述弯曲的电极时，所述经扫描束的所述视在扫描原点的位置实质上得到维持。附图说明图1是根据示例性实施例的离子植入机系统的简化方块图；图2是说明图1所示离子植入机系统的进一步的细节的示意性方块图；以及图3说明用于处理离子束的一组示例性操作。具体实施方式图1示出用于体现示例性实施例的离子植入机系统100的简化方块图。离子束产生器102可产生期望物质的离子束104，将离子束104中的离子加速到期望能量，执行离子束104的质量/能量分析以移除能量及质量污染物，且供应具有低水平的能量及质量污染物的离子束104。扫描系统106可包括扫描仪108及角度校正器110。扫描系统106使离子束104偏向以生成经扫描离子束112。端站(endstation)114在经扫描离子束112的路径中支撑半导体晶片116或其他工件，以使期望物质的离子被植入到半导体晶片116中。离子植入机系统100可包括所属领域中的技术人员所熟知的其他组件。举例来说，端站114可包括用于将晶片引入到离子植入机系统100中以及用于在植入之后移除晶片的自动化晶片装卸仪器、剂量测量系统、淹没式电子枪(electronfloodgun)等。图2是说明图1所示离子植入机系统100的进一步的细节的示意性方块图。具体来说，图2示出扫描系统106的另外的细节。扫描系统106可以扫描板202及204的形式包括扫描电极。扫描板202及204位于离子束104的相对两侧上。扫描板202及204包括平行部分及位于平行部分下游的分叉部分。扫描系统106可进一步包括位于扫描板202及204下游的后扫描电极206。如图中所示，后扫描电极206被塑形。在一个实施例中，后扫描电极206具有弯曲形状或弧形形状，或者后扫描电极206的至少一部分具有弯曲形状或弧形形状。举例来说，后扫描电极206可具有实质上笔直部分及弯曲部分。后扫描电极206可耦合到后扫描抑制电压产生器216。在一个实施例中，后扫描电极206的位置紧邻扫描板202及204。另外，扫描系统106可包括前扫描电极208。前扫描电极208位于扫描板202及204的上游。前扫描电极208可耦合到前扫描抑制电压产生器210。减速透镜(decellens)208a可位于前扫描电极208的下游或上游。减速透镜208a可为被设计成使离子束104减速的四极管减速透镜(tetrodedecellens)，以使离子束104更加平行或收敛(convergent)。在一个实施例中，减速透镜208a与前扫描电极208整合为一个元件。前扫描电极208可包括使离子束104从中穿过的开孔。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子植入机系统设备，包括：/n后扫描电极，以扇形束包络的形式接收及传输经扫描束，其中所述经扫描束界定视在扫描原点，其中所述后扫描电极的至少一部分具有弯曲形状以维持所述视在扫描原点的位置。/n

【技术特征摘要】
20161018 US 15/296,2421.一种离子植入机系统设备，包括：
后扫描电极，以扇形束包络的形式接收及传输经扫描束，其中所述经扫描束界定视在扫描原点，其中所述后扫描电极的至少一部分具有弯曲形状以维持所述视在扫描原点的位置。


2.根据权利要求1所述的离子植入机系统设备，其中所述扇形束包络界定实际扫描原点，且其中所述视在扫描原点与所述实际扫描原点重叠。


3.根据权利要求1所述的离子植入机系统设备，其中所述后扫描电极具有弧形状。


4.根据权利要求1所述的离子植入机系统设备，其中所述后扫描电极界定与所述扇形束包络线垂直的形状。


5.根据权利要求1所述的离子植入机系统设备，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：法兰克·辛克莱，丹尼尔·泰格尔，艾德沃·W·比尔，罗伯特·林德柏格，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：美国;US