离子注入设备及其控制方法技术

本公开提供了一种离子注入设备，该离子注入设备包括工艺腔室和与所述工艺腔室连接的分析磁场；所述工艺腔室与所述分析磁场之间具有离子束入口和调节装置，所述调节装置被配置为控制所述离子束入口的开启区域，以及调节开启区域的开启程度。本公开还提供了一种离子注入设备的控制方法。

【技术实现步骤摘要】
离子注入设备及其控制方法
本公开实施例涉及显示制造
，特别涉及一种离子注入设备及其控制方法。
技术介绍
现有的离子注入机设备主要分为五个部分，分别是：离子源(IonSource)，其作用是产生混合离子；分析磁场(AnalyzeMagnet)，其作用是通过洛伦兹力从混合离子中筛选出所需的工艺离子；真空互锁腔室(LoadLock)，其用于实现大气和真空的转换；传送腔室(TransferChamber)，其作用是将待注入基板运送到工艺腔室；工艺腔室(ProcessChamber)，其作用是完成对基板上的半导体膜层离子注入。但现有的离子注入机通常至少存在如下缺陷：1、在离子注入工艺过程中发生放电报警后，离子束(IonBeam)会关闭，基板会随着载台(Platen)回到初始(Home)位置，等待IonBeam重启，均一性达到标准(Spec)后再次进行离子注入，这种情况下，会对基板整面进行离子注入，即：已经进行离子注入的区域会重复注入，结果会导致基板上的各区域半导体层离子注入量不均一，产生异常品。2、现有的离子注入机只能进行基板的整面注入，在现有的硬件结构下无法在同一张基板上分区域注入不同的离子量。3、设备发生其他特定报警后，IonBeam会一直开启，长时间会产生大量的颗粒(Particle)，被Particle遮挡的半导体区域，无法接受到离子，最终会产生肉眼不可见(Invisible)的亮暗点等显示不良。4、针对工艺腔室(ProcessChamber)进行设备维护(PM)时，由于分析磁场与工艺腔室直接连通，打开ProcessChamber作业会时导致环境Particle对分析磁场造成污染，磁场碳板会吸收环境中的水分，所以复机真空建立时间较长，导致设备的稼动率降低。
技术实现思路
本公开实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种离子注入设备及其控制方法。第一方面，本公开实施例提供了一种离子注入设备，该离子注入设备包括工艺腔室和与所述工艺腔室连接的分析磁场；所述工艺腔室与所述分析磁场之间具有离子束入口和调节装置，所述调节装置被配置为控制所述离子束入口的开启区域，以及调节开启区域的开启程度。在一些实施例中，所述离子束入口包括多个入口区域，所述调节装置包括多个与所述入口区域对应设置的自控阀门装置，所述自控阀门装置包括阀体和与所述阀体对应设置的驱动单元；所述驱动单元用于驱动对应的所述阀体移动，以控制对应的入口区域的开启以及调节对应的入口区域的开启程度。在一些实施例中，所述入口区域与所述自控阀门装置一一对应设置，每个自控阀门装置位于对应的所述入口区域的一侧；或者，每个所述入口区域对应设置的自控阀门装置的数量为两个，该两个自控阀门装置的所述阀体分别位于对应的入口区域的相对的两侧。在一些实施例中，至少部分所述阀体中每个所述阀体朝向所述分析磁场的一侧设置有第一监视器，所述第一监视器用于对经分析磁场输出的离子束进行电流监控。在一些实施例中，所述第一监视器与所述阀体一一对应设置。在一些实施例中，所述第一监视器包括法拉第杯。在一些实施例中，所述驱动单元为CDA气动驱动系统或者伺服马达驱动系统。第二方面，本公开实施例提供一种离子注入设备的控制方法，所述离子注入设备采用上述任一实施例所提供的离子注入设备，所述控制方法包括：在离子注入时段，通过所述调节装置控制所述离子束入口的开启区域，并将待注入基板移动至所述离子束入口相对位置，以进行离子注入；在离子注入时段以外的时段，通过所述调节装置控制所述离子束入口完全关闭，以隔离分析磁场和工艺腔室。在一些实施例中，在离子注入过程中，当设备发生特定报警，且离子束中断输出，使得待注入基板的部分区域未完成离子注入时，所述控制方法还包括：记录待注入基板的当前位置，并将待注入基板移动至预设的初始位置；通过所述调节装置控制所述离子束入口完全关闭；待报警解除后，重新启动离子束，并将待注入基板从预设的初始位置移动至记录的所述当前位置，以使待注入基板的未注入部分与所述离子束入口相对设置；通过所述调节装置控制所述离子束入口完全开启，以对所述离子束入口对应的待注入基板的未注入部分进行离子补注入。在一些实施例中，在离子注入过程中，当设备发生特定报警，且离子束持续输出时，所述控制方法还包括：通过所述调节装置控制所述离子束入口完全关闭。在一些实施例中，所述待注入基板包括多个待注入区域，不同待注入区域对应的离子注入量不同；所述在离子注入时段，通过所述调节装置控制所述离子束入口的开启区域，并将待注入基板移动至所述离子束入口相对位置，以进行离子注入，包括：在离子注入时段，针对待注入基板的每个待注入区域，通过所述调节装置控制该待注入区域对应的所述离子束入口的开启区域，以及调节该开启区域的开启程度；其中，不同待注入区域对应的离子束入口的开启区域的开启程度不同；将所述待注入基板从预设的初始位置移动至预设的结束位置，在移动过程中，当该待注入区域经过对应的开启区域时，完成该待注入区域的离子注入。附图说明图1为本公开实施例提供的一种离子注入设备的结构示意图；图2为图1中一种调节装置的具体实现方式的结构示意图；图3为图2中自控阀门装置的一种具体实现方式的结构示意图；图4为入口区域处于部分开启状态的示意图；图5为入口区域处于完全关闭状态的示意图；图6为图1中另一种调节装置的具体实现方式的结构示意图图7为图1中又一种调节装置的具体实现方式的结构示意图；图8为本公开实施例提供的一种离子注入设备的控制方法的流程图；图9为图8中步骤S11的一种具体实施方式的流程图；图10为本公开实施例提供的另一种离子注入设备的控制方法的流程图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本公开实施例的技术方案，下面将结合本公开实施例的附图对本公开实施例所提供的离子注入设备及其控制方法的技术方案进行清楚、完整地描述。在下文中将参考附图更充分地描述示例实施例，但是所述示例实施例可以以不同形式来体现且不应当被解释为限于本文阐述的实施例。反之，提供这些实施例的目的在于使本公开透彻和完整，并将使本领域技术人员充分理解本公开的范围。本文所使用的术语仅用于描述特定实施例，且不意欲限制本公开。如本文所使用的，单数形式“一个”和“该”也意欲包括复数形式，除非上下文另外清楚指出。还将理解的是，当本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，指定存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组。将理解的是，虽然本文可以使用术语第一、第二等来描述各种元件/结构，但这些元件/结构不应当受限于这些术语。这些术语仅用于区分一个元件/结构和另一元件/结构。除非另外限定，否本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子注入设备，其特征在于，包括工艺腔室和与所述工艺腔室连接的分析磁场；/n所述工艺腔室与所述分析磁场之间具有离子束入口和调节装置，所述调节装置被配置为控制所述离子束入口的开启区域，以及调节开启区域的开启程度。/n

【技术特征摘要】
1.一种离子注入设备，其特征在于，包括工艺腔室和与所述工艺腔室连接的分析磁场；
所述工艺腔室与所述分析磁场之间具有离子束入口和调节装置，所述调节装置被配置为控制所述离子束入口的开启区域，以及调节开启区域的开启程度。


2.根据权利要求1所述的离子注入设备，其特征在于，所述离子束入口包括多个入口区域，所述调节装置包括多个与所述入口区域对应设置的自控阀门装置，所述自控阀门装置包括阀体和与所述阀体对应设置的驱动单元；
所述驱动单元用于驱动对应的所述阀体移动，以控制对应的入口区域的开启以及调节对应的入口区域的开启程度。


3.根据权利要求2所述的离子注入设备，其特征在于，所述入口区域与所述自控阀门装置一一对应设置，每个自控阀门装置位于对应的所述入口区域的一侧；或者，
每个所述入口区域对应设置的自控阀门装置的数量为两个，该两个自控阀门装置的所述阀体分别位于对应的入口区域的相对的两侧。


4.根据权利要求2所述的离子注入设备，其特征在于，至少部分所述阀体中每个所述阀体朝向所述分析磁场的一侧设置有第一监视器，所述第一监视器用于对经分析磁场输出的离子束进行电流监控。


5.根据权利要求4所述离子注入设备，其特征在于，所述第一监视器与所述阀体一一对应设置。


6.根据权利要求4所述的离子注入设备，其特征在于，所述第一监视器包括法拉第杯。


7.根据权利要求2所述的离子注入设备，其特征在于，所述驱动单元为CDA气动驱动系统或者伺服马达驱动系统。


8.一种离子注入设备的控制方法，其特征在于，所述离子注入设备采用上述权利要求1-7中任一项所述的离子注入设备，所述控制方法包括：
在离子注入时段，通过所述调节装置控制所述离子...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫立，刘晨亮，姜东诚，谭超，辜祥伟，卫家，张新慧，李振伟，樊海伟，陈博陶，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11