接近式曝光装置、接近式曝光方法以及接近式曝光装置用光照射装置制造方法及图纸

接近式曝光装置具备：非曝光用光照明单元(100)，其配置于比平面反射镜(68)更靠灯单元(60)侧，使包含第2波长区域的非曝光用光与从灯单元(60)出射的光的光轴同轴地照射，包含第2波长区域的非曝光用光与使工件(W)的感光材料感光的包含第1波长区域的曝光用光不同；以及对准摄像机(110)，其能够使用非曝光用光，同时对投影到工件W的掩模(M)侧的对准标记(101)的投影图像(102)和工件(W)侧的对准标记(103)进行拍摄。由此，能够在不进行试曝光的情况下实现高精度的对准调整，并且能够大幅提升曝光精度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】接近式曝光装置、接近式曝光方法以及接近式曝光装置用光照射装置
本专利技术涉及接近式曝光装置、接近式曝光方法以及接近式曝光装置用光照射装置。
技术介绍
在接近式曝光装置中，以几十μm～几百μm的间隙对涂敷有感光材料的被曝光基板接近配置形成有曝光图案的掩模，经由掩模照射来自光照明装置的曝光用光，将曝光图案转印到被曝光基板。另外，在应用于接近式曝光装置的光照明装置中，为了提高照射到掩模的光的照度的均匀性，使用积分器。在现有的接近式曝光装置中，存在如下方案：在照明装置设置对反射镜的曲率进行校正的曲率校正机构，通过使反射镜弯曲而使反射镜的偏角变化，来校正曝光图案的形状，得到高精度的曝光结果(例如，参照专利文献1、2)。在专利文献1中，使用作为基准的校准掩模，局部地改变光路反射镜的反射面的曲率来校正曝光用照明光的平行度。接着，使用曝光用掩模，在基板上进行图案的印刷，测定转印的图案，局部地改变光路反射镜的曲率来校正掩模的伸缩。在专利文献2中，已知一种接近式曝光装置，具有准直镜和对由该准直镜反射的图案曝光用的光的照射角度进行变更本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接近式曝光装置，具备：/n光源；/n积分器，所述积分器使来自该光源的光均匀地出射；以及/n反射镜，所述反射镜具备能够将反射面的曲率改变的镜弯曲机构，并反射从所述积分器出射的所述光，/n将形成有曝光图案的掩模与工件隔着间隙接近配置，用于使从所述反射镜出射的光经由所述掩模照射到所述工件上从而将所述曝光图案曝光转印到所述工件，所述接近式曝光装置的特征在于，/n还具备：/n非曝光用光照明单元，所述非曝光用光照明单元被配置于比所述反射镜更靠所述光源一侧，使包含第2波长区域的非曝光用光与来自所述光源的光同轴地照射，所述非曝光用光与使所述工件的感光材料感光的包含第1波长区域的曝光用光不同；以及/n对...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180208 JP 2018-0211511.一种接近式曝光装置，具备：
光源；
积分器，所述积分器使来自该光源的光均匀地出射；以及
反射镜，所述反射镜具备能够将反射面的曲率改变的镜弯曲机构，并反射从所述积分器出射的所述光，
将形成有曝光图案的掩模与工件隔着间隙接近配置，用于使从所述反射镜出射的光经由所述掩模照射到所述工件上从而将所述曝光图案曝光转印到所述工件，所述接近式曝光装置的特征在于，
还具备：
非曝光用光照明单元，所述非曝光用光照明单元被配置于比所述反射镜更靠所述光源一侧，使包含第2波长区域的非曝光用光与来自所述光源的光同轴地照射，所述非曝光用光与使所述工件的感光材料感光的包含第1波长区域的曝光用光不同；以及
对准摄像机，所述对准摄像机能够使用所述非曝光用光来同时对投影到所述工件上的所述掩模一侧的对准标记的投影图像和所述工件一侧的对准标记进行拍摄。


2.如权利要求1所述的接近式曝光装置，其特征在于，
所述非曝光用光照明单元具备截止滤光器，所述截止滤光器进退自如地被配置在来自所述光源的光的光路上，通过将来自所述光源的光的所述第1波长区域遮断，从而使已通过的来自所述光源的光成为包含所述第2波长区域的所述非曝光用光。


3.如权利要求2所述的接近式曝光装置，其特征在于，
还具备其他截止滤光器，所述其他截止滤光器进退自如地被配置在来自所述光源的光的所述光路上，通过将所述第2波长区域遮断，从而使已通过的来自所述光源的光成为包含所述第1波长区域的所述曝光用光。


4.如权利要求2所述的接近式曝光装置，其特征在于，
所述截止滤光器构成快门，通过从来自所述光源的光的所述光路上退避，从而使来自所述光源的光的包含所述第1波长区域的所述曝光用光经由所述掩模照射到所述工件上，通过进入所述光路，从而遮断该曝光用光。


5.如权利要求1所述的接近式曝光装置，其特征在于，
所述非曝光用光照明单元具备非曝光用光源，所述非曝光用光源与所述光源分体设置，并照射包含所述第2波长区域的所述非曝光用光。


6.如权利要求5所述的接近式曝光装置，其特征在于，
所述非曝光用光源被配置于与所述光源共轭的位置。


7.如权利要求1～6中任一项所述的接近式曝光装置，其特征在于，
还具备半反射镜，所述半反射镜在所述反射镜与所述掩模之间，被配置在所述非曝光用光的光路上，
所述对准摄像机经由所述半反射镜而同时对所述掩模一侧的对准标记的投影图像和所述工件一侧的对准标记进行拍摄。


8.如权利要求1～7中任一项所述的接近式曝光装置，其特征在于，
所述工件具备与所述掩模的曝光图案对应的矩形状的曝光区域，
所述对准摄像机在所述曝光区域或该曝光区域周围的四角以及连结该四角的各边中的至少一点处，同时对投影到所述工件上的所述掩模一侧的对准标记的投影图像和所述工件一侧的对准标记进行拍摄。


9.如权利要求1～8中任一项所述的接近式曝光装置，其特征在于，具备：
移动机构，所述移动机构使所述工件与所述掩模相对移动；以及
控制部，所述控制部利用所述镜弯曲机构来校正所述反射镜的曲率，并且利用所述移动机构来使所述掩模与所述工件相对移动，以使拍摄到的所述掩模一侧的对准标记的投影图像与所述工件一侧的对准标记的各中心一致。


10.如权利要求9所述的接近式曝光装置，其特征在于，
所述工件具备与所述掩模的曝光图案对应的矩形状的曝光区域，
所述对准摄像机在规定张数的所述工件的曝光时在所述曝光区域或该曝光区域周围的四角以及连结该四角的各边中的至少一点处，同时拍摄投影到所述工件上的所述掩模一侧的对准标记的投影图像和所述工件侧对准标记，并且，
在所述规定张数以后的所述工件的曝光时，所述对准摄像机在所述工件的四角处，同时拍摄投影到所述工件上的所述掩模一侧的对准标记的投影图像和所述工件一侧的对准标记，
所述控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：富樫工，榎本芳幸，原田智纪，川岛洋德，
申请(专利权)人：株式会社V技术，
类型：发明
国别省市：日本;JP