光集成元件以及光模块制造技术

光集成元件具备：基板；第1波导路区域，其在所述基板上依次层叠下部包覆层、与所述下部包覆层相比而折射率更高的第1芯层和与所述第1芯层相比而折射率更低的上部包覆层；和活性区域，其在所述基板上依次层叠所述下部包覆层、与所述下部包覆层相比而折射率更高的第2芯层、通过被注入电流来将光放大的量子阱层和所述上部包覆层，所述第2芯层与所述量子阱层之间在正在所述第2芯层进行波导的光的模场的范围内接近，所述第1芯层、和所述第2芯层以及所述量子阱层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光集成元件以及光模块
本专利技术涉及光集成元件以及光模块。
技术介绍
与近年的光通信用器件中的小型化的要求相伴，对使半导体光放大器、相位调制器等不同功能的光元件集成在同一基板上的光集成元件的要求水准也在提高(例如，参照专利文献1)。在先技术文献专利文献专利文献1：JP特开2016-126216号公报专利文献2：JP特开2014-35540号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但在使半导体光放大器、相位调制器等集成在同一基板上的情况下，各个波导路层的厚度优选对应于各个元件的特性而最佳化。例如关于相位调制器，为了减低电容量并使响应特性高速化，优选加厚波导路层的厚度，关于半导体光放大器，为了抑制饱和输出的降低，优选使波导路层的厚度为某种程度的厚度以下。若如此地将集成的各元件的波导路层的厚度最佳化，就有由于最佳的波导路层的厚度的差异变大而在元件间的接合部分连接损耗增大这样的问题。图8是表示厚度不同的波导路层的连接损耗的示例的图表。如图7所示那样，连接目标与连接源的波导路层的厚度的比本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光集成元件，其特征在于，具备：/n基板；/n第1波导路区域，其在所述基板上依次层叠下部包覆层、与所述下部包覆层相比而折射率更高的第1芯层和与所述第1芯层相比而折射率更低的上部包覆层；和/n活性区域，其在所述基板上依次层叠所述下部包覆层、与所述下部包覆层相比而折射率更高的第2芯层、通过被注入电流来将光放大的量子阱层和所述上部包覆层，/n所述第2芯层与所述量子阱层之间在正在对所述第2芯层进行波导的光的模场的范围内接近，/n所述第1芯层、和所述第2芯层以及所述量子阱层对接接合。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180208 JP 2018-0210881.一种光集成元件，其特征在于，具备：
基板；
第1波导路区域，其在所述基板上依次层叠下部包覆层、与所述下部包覆层相比而折射率更高的第1芯层和与所述第1芯层相比而折射率更低的上部包覆层；和
活性区域，其在所述基板上依次层叠所述下部包覆层、与所述下部包覆层相比而折射率更高的第2芯层、通过被注入电流来将光放大的量子阱层和所述上部包覆层，
所述第2芯层与所述量子阱层之间在正在对所述第2芯层进行波导的光的模场的范围内接近，
所述第1芯层、和所述第2芯层以及所述量子阱层对接接合。


2.根据权利要求1所述的光集成元件，其特征在于，
在所述第1芯层与所述量子阱层之间具备与所述第2芯层以及所述量子阱层不同组成的中间层。


3.根据权利要求2所述的光集成元件，其特征在于，
所述中间层是与所述下部包覆层或所述上部包覆层相同的组成。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的光集成元件，其特征在于，
所述下部包覆层的导电型是n型，所述上部包覆层的导电型是p型。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的光集成元件，其特征在于，
所述光集成元件具备：第2波导路区域，其在所述基板上依次层叠所述下部包覆层、所述第2芯层和所述上部包覆层，
所述第2波导路区域与所述活性区域级联连接。


6.根据权利要求5所述的光集成元件，其特征在于，
所述第2波导路区域具...

【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤裕介，清田和明，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP