SOI平台上的量子限制斯塔克效应电吸收调制器制造技术

一种电吸收调制器。调制器包括SOI波导；活动区，所述活动区包括多量子阱(MQW)区；以及耦合器，用于将SOI波导耦合到活动区。耦合器包括：过渡波导耦合区；缓冲波导耦合区；以及锥形区；其中，过渡波导耦合区耦合SOI波导与缓冲波导耦合区之间的光；并且缓冲波导耦合区经由锥形区耦合过渡波导区与活动区之间的光。

Quantum confinement Stark effect electroabsorption modulator on SOI platform

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】SOI平台上的量子限制斯塔克效应电吸收调制器
本技术涉及调制器并且涉及在SOI平台上的调制器内的光耦合，以及更具体地涉及SiGe量子限制斯塔克效应(QCSE)调制器。
技术介绍
期望制造在O-波段(1.3μm波长)下操作的高速SiGe量子限制斯塔克效应(QCSE)电吸收调制器(EAM)以及在用于数据中心网络应用的SOI平台上可兼容的CMOS。由于锗材料性质(带隙和吸收)的限制，制造在3μmSOI平台上O-波段下操作的SiGeQCSEEAM的问题包括：1)可以在1.3μm波长下操作的SiGe多量子阱外延(EPI)叠层的设计；2)耦合结构的设计，所述耦合结构由于Si与用于SiGeMQW的SiGe缓冲层之间的大SOI波导尺寸和大折射率对比度而将光从3μmSOI波导带入到具有基于EPI结构的低损耗的SiGe多量子阱(MQW)波导中；以及3)由于MQW区中的载流子屏障效应，利用CMOS驱动器来实现2V驱动电压的难度。本技术目标在于克服在3μmSOI平台上制造SiGeQCSEEAM中的至少这三个问题。虽然本申请聚焦在耦合到3μmSOI波导，但应理解本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电吸收调制器，其特征在于，包括：/nSOI波导；/n活动区，所述活动区包括多量子阱(MQW)区；以及/n耦合器，用于将所述SOI波导耦合到所述活动区；/n所述耦合器包括：/n过渡波导耦合区；/n缓冲波导耦合区；以及/n锥形区；/n其中，所述过渡波导耦合区耦合所述SOI波导与所述缓冲波导耦合区之间的光；并且所述缓冲波导耦合区经由所述锥形区耦合所述过渡波导区与所述活动区之间的光。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20160707 US 62/3595951.一种电吸收调制器，其特征在于，包括：
SOI波导；
活动区，所述活动区包括多量子阱(MQW)区；以及
耦合器，用于将所述SOI波导耦合到所述活动区；
所述耦合器包括：
过渡波导耦合区；
缓冲波导耦合区；以及
锥形区；
其中，所述过渡波导耦合区耦合所述SOI波导与所述缓冲波导耦合区之间的光；并且所述缓冲波导耦合区经由所述锥形区耦合所述过渡波导区与所述活动区之间的光。


2.根据权利要求1所述的电吸收调制器，其中所述锥形区包括多段模式扩展器。


3.根据前述权利要求中任一项所述的电吸收调制器，其中所述多量子阱区是Ge/SiGe多量子阱区。


4.根据权利要求3所述的电吸收调制器，其中：
所述过渡波导耦合区包括过渡波导的第一部分；以及
所述缓冲波导耦合区包括位于所述过渡波导的第二部分之上的缓冲波导。


5.根据权利要求4所述的电吸收调制器，其中：
所述过渡波导具有的折射率大于所述SOI波导的折射率但小于所述缓冲波导的折射率。


6.根据权利要求5所述的电吸收调制器，其中：
所述SOI波导是3μm波导；
所述过渡波导具有不大于400nm的厚度；以及
所述缓冲波导具有不大于400nm的厚度。


7.根据权利要求6所述的电吸收调制器，其中所述过渡缓冲波导具有不大于600nm的厚度。


8.根据权利要求6所述的电吸收调制器，其中所述过渡波导具有不大于800nm的厚度。


9.根据权利要求8所述的电吸收调制器，其中所述缓冲波导和过渡波导中的每一个是SiGe波导。


10.根据权利要求4至9中任一项所述的电吸收调制器；
其中所述活动区包括：
P-掺杂区，其在所述缓冲层与多量子阱下面的间隔层的下表面之间；以及
N-掺杂区，其位于所述多量子阱之上的间隔层的上表面处。


11.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：余国民，G伊塞拉，J弗里格里奥，A巴拉比奥，
申请(专利权)人：洛克利光子有限公司，米兰理工大学，
类型：新型
国别省市：英国;GB