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一种电吸收调制器。调制器包括SOI波导；活动区，所述活动区包括多量子阱(MQW)区；以及耦合器，用于将SOI波导耦合到活动区。耦合器包括：过渡波导耦合区；缓冲波导耦合区；以及锥形区；其中，过渡波导耦合区耦合SOI波导与缓冲波导耦合区之间的光...
该专利属于洛克利光子有限公司;米兰理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过洛克利光子有限公司;米兰理工大学授权不得商用。

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