半导体光调制器制造技术

半导体光调制器(1)包括调制区域(A)和非调制区域(C)。非调制区域(C)中的第一接地电极(112)的第一宽度大于调制区域(A)中的第一接地电极(112)的第二宽度。非调制区域(C)中的第二接地电极(113)的第三宽度大于调制区域(C)中的第二接地电极(113)的第四宽度。第一绝缘层(24a、24b)在非调制区域(C)中配置于第一光波导(13a)与第一行波电极(114)之间以及第二光波导(13b)与第二行波电极(116)之间。因此，半导体光调制器(1)能够实现宽带化。

Semiconductor optical modulator

The semiconductor optical modulator (1) includes a modulation region (a) and a non modulation region (c). The first width of the first grounding electrode (112) in the non modulation region (c) is larger than the second width of the first grounding electrode (112) in the modulation region (a). The third width of the second grounding electrode (113) in the non modulation region (c) is larger than the fourth width of the second grounding electrode (113) in the modulation region (c). The first insulating layers (24a, 24b) are arranged between the first optical waveguide (13a) and the first traveling wave electrode (114) and between the second optical waveguide (13b) and the second traveling wave electrode (116) in the non modulation region (c). Therefore, the semiconductor optical modulator (1) can be broadband.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体光调制器
本专利技术涉及一种半导体光调制器。
技术介绍
近年，由于PC和智能电话等的普及，通信量正在扩大。因此，在一般作为光调制器采用的马赫-曾德尔(Mach-Zehnder。以下称为“MZ”。)型光调制器中，广泛地有效利用基于4值脉冲幅度调制(PAM4)方式等强度调制方式或4值相位偏移调制方式(QPSK)和16值正交相位幅度调制方式(16QAM)等相位调制方式的信号复用。但是，随着信号的高密度化的推进，信号的抗噪声能力变低，因此，当进行如上所述的信号复用时，信号传输距离变短。因此，需要以相对于作为当前主流的25～32Gbps的调制速度而言的2倍的50～64Gbps的调制速度对信号进行驱动来提高比特率，而不是信号的复用。用于抑制消耗电力和信号质量的劣化来提高调制速度的、光调制器的宽带化成为课题。为了实现宽带化，需要优化调制器的电容和电感来使阻抗匹配。日本特开2015-129906号公报(专利文献1)公开了设置有调整阻抗和电速度的机构的半导体马赫-曾德尔型光调制器。专利文献1所记载的半导体马赫-曾德尔型光调制器具备马赫-曾德尔干涉仪本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体光调制器，具备第一马赫-曾德尔型光波导、第一行波电极、第二行波电极、第一接地电极、第二接地电极以及第一绝缘层，/n所述第一马赫-曾德尔型光波导包括第一光输入部、连接于所述第一光输入部的第一光分支部、连接于所述第一光分支部的第一光波导、连接于所述第一光分支部的第二光波导、连接于所述第一光波导和所述第二光波导的第一光合波部以及连接于所述第一光合波部的第一光输出部，/n所述第一行波电极配置于所述第一光波导的上方，/n所述第二行波电极配置于所述第二光波导的上方，/n所述第一接地电极在相对于所述第一行波电极与所述第二行波电极相反的一侧配置成从所述第一行波电极空出间隔，/n所述第二接地电极在...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171130 JP 2017-230952;20171228 JP 2017-2536711.一种半导体光调制器，具备第一马赫-曾德尔型光波导、第一行波电极、第二行波电极、第一接地电极、第二接地电极以及第一绝缘层，
所述第一马赫-曾德尔型光波导包括第一光输入部、连接于所述第一光输入部的第一光分支部、连接于所述第一光分支部的第一光波导、连接于所述第一光分支部的第二光波导、连接于所述第一光波导和所述第二光波导的第一光合波部以及连接于所述第一光合波部的第一光输出部，
所述第一行波电极配置于所述第一光波导的上方，
所述第二行波电极配置于所述第二光波导的上方，
所述第一接地电极在相对于所述第一行波电极与所述第二行波电极相反的一侧配置成从所述第一行波电极空出间隔，
所述第二接地电极在相对于所述第二行波电极与所述第一行波电极相反的一侧配置成从所述第二行波电极空出间隔，
所述半导体光调制器包括沿着所述第一光波导和所述第二光波导排列的单位构造，
所述单位构造包括调制区域和非调制区域，
所述非调制区域中的所述第一接地电极的第一宽度与所述调制区域中的所述第一接地电极的第二宽度不同，
所述非调制区域中的所述第二接地电极的第三宽度与所述调制区域中的所述第二接地电极的第四宽度不同，
所述第一绝缘层在所述非调制区域配置于所述第一光波导与所述第一行波电极之间以及所述第二光波导与所述第二行波电极之间。


2.根据权利要求1所述的半导体光调制器，其中，
所述非调制区域中的所述第一接地电极的所述第一宽度小于所述调制区域中的所述第一接地电极的所述第二宽度，
所述非调制区域中的所述第二接地电极的所述第三宽度小于所述调制区域中的所述第二接地电极的所述第四宽度。


3.根据权利要求2所述的半导体光调制器，其中，
还具备连接于所述第一行波电极和所述第二行波电极的终端部，
所述终端部的差动阻抗小于100Ω。


4.根据权利要求2或3所述的半导体光调制器，其中，
所述单位构造包括配置于所述调制区域与所述非调制区域之间的过渡区域，
在所述过渡区域，所述第一行波电极与所述第二行波电极之间的第一间隔逐渐变化，
在所述过渡区域，所述第一接地电极的宽度和所述第二接地电极的宽度逐渐变化。


5.根据权利要求2或3所述的半导体光调制器，其中，
还具备第二马赫-曾德尔型光波导、第三行波电极、第四行波电极、第三接地电极、光输入部、连接于所述光输入部的光分支部、光合波部以及连接于所述光合波部的光输出部，
所述第二马赫-曾德尔型光波导包括第二光输入部、连接于所述第二光输入部的第二光分支部、连接于所述第二光分支部的第三光波导、连接于所述第二光分支部的第四光波导、连接于所述第三光波导和所述第四光波导的第二光合波部以及连接于所述第二光合波部的第二光输出部，
所述第三行波电极配置于所述第三光波导的上方，
所述第四行波电极配置于所述第四光波导的上方，
所述第二接地电极在相对于所述第三行波电极与所述第四行波电极相反的一侧配置成从所述第三行波电极空出间隔，
所述第三接地电极在相对于所述第四行波电极与所述第三行波电极相反的一侧配置成与所述第四行波电极空出间隔，
所述光分支部连接于所述第一光输入部和所述第二光输入部，
所述光合波部连接于所述第一光输出部和所述第二光输出部，
所述单位构造沿着所述第三光波导和所述第四光波导排列，
所述非调制区域中的所述第三接地电极的第五宽度小于所述调制区域中的所述第三接地电极的第六宽度，
所述第一绝缘层在所述非调制区域配置于所述第三光波导与所述第三行波电极之间以及所述第四光波导与所述第四行波电极之间。


6.根据权利要求5所述的半导体光调...

【专利技术属性】
技术研发人员：林周作，秋山浩一，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP