一种嵌入式延时断电电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种嵌入式延时断电电路，包括：4.2V锂电池BAT、单片机U1、4.2V转3.3V电压转换芯片UP1、电阻RP4、电阻RP5、电阻RP6、电阻RP7、电阻RP8、电容CP1、钽电容EP1、电容CP2、钽电容EP2、二极管DP1、三极管QP2、三极管QP3和按键SP1。该嵌入式延时断电电路体积小、功耗低、成本低，使用极少的元件即可实现延时电路功能，单片机根据采集的按键状态信息可通过控制单片机的POWER_EN引脚的电平来实现延时断电，确保设备的稳定性和数据的完整性。

【技术实现步骤摘要】
一种嵌入式延时断电电路
本技术涉及一种开关电路，特别提供了一种嵌入式延时断电电路。
技术介绍
目前市场上的终端设备关闭电源开关后，内部电路会马上断电，设备的程序会因为断电而来不及处理数据的存储等后续问题，很可能给设备的稳定性和数据的完整性带来严重的隐患。因此，研制一种嵌入式延时断电电路，以确保设备的稳定性和数据完整性，成为亟待解决的问题。
技术实现思路
鉴于此，本技术的目的在于提供一种嵌入式延时断电电路，以解决现有技术中的由于设备电源立即断电带来的设备的稳定性和数据完整性的问题。本技术提供的技术方案是：嵌入式延时断电电路，包括：4.2V锂电池BAT、单片机U1、4.2V转3.3V电压转换芯片UP1、电阻RP4、电阻RP5、电阻RP6、电阻RP7、电阻RP8、电容CP1、钽电容EP1、电容CP2、钽电容EP2、二极管DP1、三极管QP2、三极管QP3和按键SP1，其中，4.2V锂电池BAT正极输入端连三级管QP3的发射极，电阻RP4并联在三极管QP3的发射级和基极间，三极管QP3的基极通过电阻RP8连接二极管DP1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种嵌入式延时断电电路，其特征在于，包括：4.2V锂电池BAT、单片机U1、4.2V转3.3V电压转换芯片UP1、电阻RP4、电阻RP5、电阻RP6、电阻RP7、电阻RP8、电容CP1、钽电容EP1、电容CP2、钽电容EP2、二极管DP1、三极管QP2、三极管QP3和按键SP1，其中，4.2V锂电池BAT正极输入端连三级管QP3的发射极，电阻RP4并联在三极管QP3的发射级和基极间，三极管QP3的基极通过电阻RP8连接二极管DP1的负极并通过按键SP1接地，三极管QP3的基极通过电阻RP5连接三极管QP2的集电极，三极管QP2的发射极接地，电阻RP7并联在三极管QP2的基极和发射极间，三极...

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式延时断电电路，其特征在于，包括：4.2V锂电池BAT、单片机U1、4.2V转3.3V电压转换芯片UP1、电阻RP4、电阻RP5、电阻RP6、电阻RP7、电阻RP8、电容CP1、钽电容EP1、电容CP2、钽电容EP2、二极管DP1、三极管QP2、三极管QP3和按键SP1，其中，4.2V锂电池BAT正极输入端连三级管QP3的发射极，电阻RP4并联在三极管QP3的发射级和基极间，三极管QP3的基极通过电阻RP8连接二极管DP1的负极并通过按键SP1接地，三极管QP3的基极通过电阻RP5连接三极管QP2的集电极，三极管QP2的发射极接地，电阻RP7并联在三极管QP2的基极和发射极间，三极管的基极通过电阻RP6连接到单片机U1的POWER_EN引脚，二极管DP1...

【专利技术属性】
技术研发人员：马胤刚，张晓琳，蒋辉，
申请(专利权)人：沈阳天眼智云信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21