一种化学机械平坦化设备制造技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种化学机械平坦化设备。包括研磨组件、冲刷单元和传输组件，研磨组件用于研磨加工件，其包括多个研磨机构，每个研磨机构上分别设置有适于抓取加工件的连接臂，相邻研磨机构设置有不同规格的研磨垫；相邻研磨机构间设有第二装载位，连接臂适于将加工件在第二装载位及研磨机构之间进行转移；冲刷单元设在研磨机构与第二装载位之间，用于清洗加工件；传输组件包括有机械手以及传输轨道，机械手适于将加工件在研磨机构与传输轨道之间进行转移。该设备在工作时，相邻研磨机构设置有不同规格的研磨垫，因此可一次实现对同一加工件的多种规格研磨，研磨效率高。

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械平坦化设备
本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种化学机械平坦化设备。
技术介绍
半导体制作工艺已经进入纳米时代，随着线宽的快速变小，对晶圆表面的质量要求也越来越高。在清洗过程中要去除可能产生的有机物、无机物等各种污染物粒子。现有技术中，如中国专利文献CN110815035A公开了一种结合研磨和单晶圆清洗模组的化学机械平坦化设备，其所涉及实施例一中，EFEM将晶圆从晶圆盒取出后，将晶圆膜层面朝上放置在晶圆中转站，湿式手臂对晶圆进行180度反转，然后放置在晶圆中转站，位于装卸台上方的机械手臂将晶圆从晶圆中转站取出，放置在装卸台，晶圆进入研磨单元后回到装卸台，位于装卸台上方的机械手臂将晶圆放置在晶圆中转站，湿式手臂将晶圆反转度，在机台调度下，将晶圆依次进入刷洗单元和单片清洗单元中的任一腔室，晶圆干燥后，EFEM将晶圆在单片清洗单元取出，放回至晶圆盒完成工艺。在上述专利文献中，晶圆经过研磨单元单次抛光处理后进入刷洗单元和单片清洗单元。晶圆从一个研磨单元上完成研磨后，将直接在装卸台的带动下进入到晶圆中转站上，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学机械平坦化设备，其特征在于，包括：/n研磨组件，用于研磨加工件，其包括多个研磨机构，每个所述研磨机构上分别设置有适于抓取所述加工件的连接臂(34)，相邻所述研磨机构设置有不同规格的研磨垫；相邻所述研磨机构间设有第二装载位(32)，所述连接臂(34)适于将所述加工件在所述第二装载位(32)及所述研磨机构之间进行转移；/n冲刷单元，设在所述研磨机构与所述第二装载位(32)之间，用于清洗所述加工件；/n传输组件，包括有机械手以及传输轨道，所述机械手适于将所述加工件在所述研磨机构与所述传输轨道之间进行转移。/n

【技术特征摘要】
1.一种化学机械平坦化设备，其特征在于，包括：
研磨组件，用于研磨加工件，其包括多个研磨机构，每个所述研磨机构上分别设置有适于抓取所述加工件的连接臂(34)，相邻所述研磨机构设置有不同规格的研磨垫；相邻所述研磨机构间设有第二装载位(32)，所述连接臂(34)适于将所述加工件在所述第二装载位(32)及所述研磨机构之间进行转移；
冲刷单元，设在所述研磨机构与所述第二装载位(32)之间，用于清洗所述加工件；
传输组件，包括有机械手以及传输轨道，所述机械手适于将所述加工件在所述研磨机构与所述传输轨道之间进行转移。


2.根据权利要求1所述的化学机械平坦化设备，其特征在于，所述冲刷单元对称设置在相邻两个所述研磨机构上，每个所述冲刷单元包括朝向所述第二装载位(32)设置的第一喷头(33)，所述第一喷头沿竖直方向朝上喷射。


3.根据权利要求2所述的化学机械平坦化设备，其特征在于，每个所述研磨机构上设置有至少一个第一装载位(31)，所述第一装载位(31)靠近所述机械手设置。


4.根据权利要求3所述的化学机械平坦化设备，其特征在于，所述冲刷单元还包括与所述第一喷头(33)相对设置的第二喷头，所述冲刷单元设置在所述第一装载位(31)和所述第二转载位之间，所述第二喷头朝向所述第一装载位(31)设置。


5.根据权利要求4所述的化学机械...

【专利技术属性】
技术研发人员：费玖海，刘福强，
申请(专利权)人：北京烁科精微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11