组合物、光电转换元件及摄像装置制造方法及图纸

本申请的一个方案的组合物是包含下述通式(1)所表示的酞菁衍生物的组合物。其中，R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】组合物、光电转换元件及摄像装置
本申请涉及包含酞菁衍生物的组合物、光电转换元件及摄像装置。
技术介绍
如专利文献1、专利文献2中公开的那样，酞菁衍生物及萘酞菁衍生物作为在近红外光区域中具有光吸收特性的物质，不仅作为有机半导体材料被研究，还作为可利用于制品的标记材料等各种领域的物质被研究。例如，在非专利文献1及非专利文献2中公开了一种在较长波长的近红外光区域中具有光吸收特性的酞菁衍生物的合成方法。另外，在专利文献1中公开了通过将酞菁衍生物薄膜化并作为光电转换材料使用从而实现半导体元件及电子元件。另外，在非专利文献3中，对于使用了低分子量的有机薄膜的光检测器及太阳能电池进行了公开。在这些专利文献1、非专利文献3中公开了吸收极大波长为600nm～800nm的酞菁衍生物。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第5405719号公报专利文献2：美国专利第5525516号说明书专利文献3：日本专利第5553727号公报专利文献4：日本特开2016-225456号公报专利文献5本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种组合物，其包含下述通式(1)所表示的酞菁衍生物，/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180329 JP 2018-066166;20181116 JP 2018-2158341.一种组合物，其包含下述通式(1)所表示的酞菁衍生物，



其中，R1～R8分别独立地为烷基或芳基，M为4价金属，R9及R10各自为下述通式(2)～(5)所表示的取代基中的任一个；另外，R11～R13分别独立地为烷基，R14～R18分别独立地为烷基或芳基，





2.根据权利要求1所述的组合物，其中，
在所述通式(1)中，R1～R8为碳数为5以下的烷基。


3.根据权利要求1或权利要求2所述的组合物，其中，
在所述通式(1)中，M为Si或Sn。


4.根据权利要求1～权利要求3中任一项所述的组合物，其中，
所述酞菁衍生物为下述通式(6)～(11)所表示的化合物中的任一个，
其中，Ar为芳基，X为碳数为10以下的烷基，








5.根据权利要求1～权利要求3中任一项所述的组合物，其中，在所述通式(1)中，在选自R9及R10中的至少1个中包含的至少1个氢原子被氟原子或含氟基取代。


6.根据权利要求5所述的组合物，其中，
在所述通式(1)中，R9及R10为所述通式(5)，
在所述通式(5)中R17及R18分别独立地为芳基，
在选自R17及R18...

【专利技术属性】
技术研发人员：饭岛浩章，平出雅哉，中田学，古山溪行，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP